[发明专利]修调电阻及其制备方法

说明书

本发明提供修调电阻包括熔丝区，熔丝区包括衬底、形成在衬底上的氧化层、形成在氧化层上的隔离层、形成在部分衬底及部分氧化层及隔离层上的介质层、形成在隔离层上及位于介质层之间的第一沟槽、位于第一沟槽上方的熔丝窗口及位于熔丝窗口两侧的修调窗口，形成在介质层上的第一金属层、形成位于第一沟槽的侧壁的第一金属层上的第二金属层、形成在第一金属层及第二金属层上的第三金属层、形成在位于熔丝窗口两侧的第三金属层上表面的第四金属层、形成在第四金属层上的钝化层，第一沟槽的侧壁与第一沟槽的底部之间形成倒角，熔丝窗口垂直于隔离层的投影区域包含在隔离层所在的区域内。本发明还提供修调电阻的制备方法，提高了修调效率和测试精度。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种修调电阻及其制备方法。

背景技术

修调电阻通常分为熔丝类、齐纳二极管类及薄膜电阻激光修调类三种类别。其中熔丝类修调电阻由于烧断技术对工艺水平和测试精度要求相对简单，利于生产控制，技术也相对成熟而被广泛采用。熔丝类修调电阻根据材料主要分为金属和多晶两种。

目前，修调电阻的测试一般采用的都是瞬间大电流，根据导体的物理特性，当电流密度很高(104A/cm2以上)时将引起金属原子的逐渐位移，使金属出现空洞和堆积，这种现象称为电迁移，电迁移的出现加剧了电流密度的增加，根据导体的热导理论，电流流动的过程中电子撞击金属离子会产生热量，且热量和电流密度的大小成正比，电流密度越大越集中，产生的热量越大，当热量达到金属的熔点时，金属出现熔化蒸发，金属熔断后电路断路，从而达到修调的作用。由于修调电阻在修调时，需要瞬时大电流使熔丝熔断，但也会出现修调电阻的熔丝未完全熔断发生短路问题，导致修调失败，难实现修调电阻的修调测试。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种提高修调效率和测试精度、避免修调电路短路、可靠性高的修调电阻，来解决上述存在的问题。一方面，本发明采用以下技术方案来实现。

本发明提供一种修调电阻，其包括熔丝区，所述熔丝区包括衬底、形成在所述衬底上的氧化层、形成在所述氧化层上的隔离层、形成在部分所述衬底及部分所述氧化层及所述隔离层上的介质层、垂直形成在所述隔离层上及位于所述介质层之间的至少两个间隔设置的第一沟槽、位于所述第一沟槽上方的熔丝窗口及位于所述熔丝窗口两侧的修调窗口，形成在所述介质层上的第一金属层、形成位于所述第一沟槽的侧壁的第一金属层上的第二金属层、形成在所述第一金属层及所述第二金属层上的第三金属层、间隔形成在位于所述熔丝窗口两侧的第三金属层上表面的第四金属层、形成在所述第四金属层上的钝化层，所述第一沟槽的侧壁与所述第一沟槽的底部之间形成倒角，位于所述倒角位置的第三金属层的厚度小于位于所述修调窗口下方的第三金属层的厚度，所述熔丝窗口垂直于所述隔离层的投影区域包含在所述隔离层所在的区域内。