[发明专利]修调电阻及其制备方法

权利要求书

1.一种修调电阻的制备方法，其特征在于，包括以下工艺步骤：

S701：提供一个衬底，在所述衬底上形成氧化层；

S702：在所述氧化层上表面形成隔离层；

S703：在部分所述衬底、氧化层及所述隔离层上形成介质层，再对所述隔离层上表面的介质层进行光刻，对应位置露出所述隔离层并形成至少两个间隔排列的第一沟槽及位于所述第一沟槽上方的熔丝窗口；所述介质层的生长过程为：用化学方法沉积的硼磷硅玻璃膜作回流介质层，将回流温度降低到800℃～950℃之间；

S704：先在所述介质层上形成第一金属层，在所述第一沟槽的侧壁的第一金属层上采用化学气相沉积技术形成第二金属层，刻蚀去除所述第一沟槽底部的第二金属层，保留所述第一沟槽的侧壁的第二金属层；在所述第一金属层及所述第二金属层上采用物理气相沉积技术形成第三金属层；所述第一金属层为氮化钛，第二金属层为钨，第三金属层为铝；在所述第一沟槽侧壁与所述第一沟槽底部的第三金属层的厚度为所述介质层上对应的第三金属层厚度的十分之一；形成所述第一金属层的具体过程为：在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电靶材蒸发并使被蒸发氮化钛与气体发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发的氮化钛及其反应产物沉积在所述介质层上；

S705：在位于所述熔丝窗口两侧的第三金属层上表面形成第四金属层；所述第四金属层为氮化钛；沉积形成所述第四金属层的过程为：在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电靶材蒸发并使被蒸发氮化钛与气体发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发的氮化钛及其反应产物沉积在所述第三金属层上；

S706：在所述第四金属层的上表面形成钝化层，再对所述熔丝窗口两侧的钝化层进行光刻，对应位置去除所述第四金属层，露出所述第三金属层形成修调窗口；形成所述修调窗口的具体过程为：在所述钝化层上形成刻蚀阻挡层，然后在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层，之后采用具有所述修调窗口图形的掩膜版对所述光刻胶层进行曝光，再进行显影，得到具有所述修调窗口图形的光刻胶层；以具有所述修调窗口图形的光刻胶为掩膜，采用反应离子刻蚀法刻蚀方法，在刻蚀阻挡层上蚀刻形成所述修调窗口的图形开口；然后以具有所述修调窗口图形开口的刻蚀阻挡层为掩膜，采用湿法刻蚀或干法刻蚀方法，去除未被刻蚀阻挡层覆盖的所述钝化层区域，进而在所述钝化层内形成所述修调窗口；

S707：对位于所述熔丝窗口下方的钝化层进行光刻，去除所述第一沟槽内的第四金属层露出所述第三金属层，所述第一沟槽的侧壁与所述第一沟槽的底部之间形成倒角，位于所述倒角位置的第三金属层的厚度小于位于所述修调窗口下方的第三金属层的厚度，所述熔丝窗口垂直于所述隔离层的投影区域包含在所述隔离层所在的区域内，最后形成修调电阻；

所述制备方法还包括形成至少两个间隔设置在所述介质层的第二沟槽，所述第二沟槽与所述第一沟槽同时形成，且在所述第一沟槽内和所述第二沟槽内同时沉积所述第一金属层及所述第二金属层，在平行所述衬底上表面的方向上，位于所述第二沟槽内的第二金属层的宽度为位于所述第一沟槽的一个侧壁上的第二金属层的宽度的两倍；

根据上述方法所制备的修调电阻，其包括熔丝区，所述熔丝区包括衬底、形成在所述衬底上的氧化层、形成在所述氧化层上的隔离层、形成在部分所述衬底及部分所述氧化层及所述隔离层上的介质层、垂直形成在所述隔离层上及位于所述介质层之间的至少两个间隔设置的第一沟槽、位于所述第一沟槽上方的熔丝窗口及位于所述熔丝窗口两侧的修调窗口，形成在所述介质层上的第一金属层、形成位于所述第一沟槽的侧壁的第一金属层上的第二金属层、形成在所述第一金属层及所述第二金属层上的第三金属层、间隔形成在位于所述熔丝窗口两侧的第三金属层上表面的第四金属层、形成在所述第四金属层上的钝化层，所述第一沟槽的侧壁与所述第一沟槽的底部之间形成倒角，位于所述倒角位置的第三金属层的厚度小于位于所述修调窗口下方的第三金属层的厚度，所述熔丝窗口垂直于所述隔离层的投影区域包含在所述隔离层所在的区域内。

2.一种根据权利要求1所述方法制得的修调电阻，其特征在于：所述修调电阻还包括位于所述熔丝区一侧且与所述熔丝区相连的电路区，所述电路区包括至少两个间隔设置在所述介质层的第二沟槽、形成在所述介质层上及所述第二沟槽内表面的第一金属层及填满所述第二沟槽的第二金属层、形成在所述第一金属层及所述第二金属层的表面的第三金属层、形成在所述第三金属层上表面的第四金属层及形成在所述第四金属层上表面的钝化层。