[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810842292.1 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110299339A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 井上一裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/373;H01L23/367;H01L23/488 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：第1电极端子，包含铜；第2电极端子，包含铜；半导体芯片，设于第1电极端子之上，并设于第1电极端子的内侧；金属部件，设于半导体芯片之上，至少在2方向上向半导体芯片的外侧突出，与第2电极端子电连接，并包含铜；以及包围半导体芯片的模制树脂。 | ||
| 搜索关键词： | 电极端子 半导体芯片 半导体装置 金属部件 模制树脂 电连接 包围 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备：第1电极端子，包含铜；第2电极端子，包含铜；半导体芯片，设于上述第1电极端子之上，在从上方观察的情况下未从上述第1电极端子的外周伸出；金属部件，设于上述半导体芯片之上，在与上述第1电极端子的表面平行的至少2方向上，向上述半导体芯片的外侧突出，与上述第2电极端子电连接，并包含铜；以及模制树脂，包围上述半导体芯片。
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