[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具备：第1电极端子，包含铜；第2电极端子，包含铜；半导体芯片，设于第1电极端子之上，并设于第1电极端子的内侧；金属部件，设于半导体芯片之上，至少在2方向上向半导体芯片的外侧突出，与第2电极端子电连接，并包含铜；以及包围半导体芯片的模制树脂。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2018－56246号(申请日：2018年3月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

半导体封装内例如混合存在金属的引线、半导体芯片、模制树脂、金属的散热部件等热膨胀系数不同的部件。因此，例如在焊料回流工序等热工序中，担心因在半导体封装内产生的应力而产生半导体封装内的裂纹等。

半导体封装内的裂纹等的产生成为半导体封装的初期不良、可靠性不良的原因。因此，要求减少半导体封装内产生的应力。

发明内容

实施方式提供能够减少应力的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：第1电极端子，包含铜；第2电极端子，包含铜；半导体芯片，设于第1电极端子之上，在从上方观察的情况下未从第1电极端子的外周伸出；金属部件，设于半导体芯片之上，在与第1电极端子的表面平行的至少2方向上向上半导体芯片的外侧突出，与第2电极端子电连接，并包含铜；以及包围上述半导体芯片的模制树脂。

附图说明

图1A、1B是第1实施方式的半导体装置的示意图。

图2A、2B是比较方式的半导体装置的示意图。

图3A、3B是第2实施方式的半导体装置的示意图。

图4是第2实施方式的半导体装置的一部分的放大示意图。

具体实施方式

关于本说明书中相同或者类似的部件，有时标注相同的附图标记而省略重复的说明。

在本说明书中，为了示出部件等的位置关系，有时将附图的上方向表述为“上”，将附图的下方向表述为“下”。在本说明书中，“上、”“下”的概念并非必须是表示与重力的朝向的关系的术语。

(第1实施方式)

第1实施方式的半导体装置是引线之上的半导体芯片被模制树脂密封而成的半导体封装100。

图1A、1B是第1实施方式的半导体装置的示意图。图1A是半导体封装100的俯视图。图1A是对模制树脂进行了透视的图。图1B是半导体封装100的剖面图。图1B是图1A的AA’剖面图。

半导体封装100具备漏极引线11(第1电极端子)、源极引线12(第2电极端子)、栅极引线13、半导体芯片15、第1金属部件16(金属部件)、第2金属部件18、第1接合层21、第2接合层22、第3接合层23、模制树脂30。

漏极引线11是板状的金属。漏极引线11例如包含铜。漏极引线11例如是纯铜或者铜合金。漏极引线11是第1电极端子的一个例子。漏极引线11的下表面例如在模制树脂的下表面露出。

源极引线12是金属。源极引线12例如包含铜。源极引线12例如是纯铜或者铜合金。源极引线12是第2电极端子的一个例子。

栅极引线13是金属。栅极引线13例如包含铜。栅极引线13例如是纯铜或者铜合金。

半导体芯片15设于漏极引线11之上。半导体芯片15在从上方观察的情况下未从漏极引线11的外周伸出。半导体芯片15设于漏极引线11的内侧。半导体芯片15的端部位于漏极引线11之上。在图1A中，虚线表示半导体芯片15的端部的位置。