[发明专利]一种功率二极管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810800736.5 申请日: 2018-07-20
公开(公告)号: CN108987486A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳市福来过科技有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L21/329
代理公司: 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 代理人: 曹明兰
地址: 518000 广东省深圳市罗湖区东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种功率二极管及其制作方法,包括:提供第一导电类型的衬底;在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层;在所述第一外延层上表面注入形成第二导电类型的埋层;在所述第一外延层上表面形成第一导电类型的第二外延层;在所述第二外延层上表面注入形成第一导电类型的第一注入区;在所述第二外延层内与所述埋层相对应的位置形成第二导电类型的第二注入区,且所述第二注入区与所述埋层连接;在所述第二外延层内位于所述第二注入区的上方形成第二导电类型的第三注入区,所述第二注入区与所述第三注入区连接;在所述第二外延层上表面形成第一电极;在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的第二电极,从而降低通态压降,提高击穿电压。
搜索关键词: 外延层 注入区 第一导电类型 上表面 导电类型 衬底 埋层 功率二极管 衬底上表面 第二电极 第一电极 击穿电压 通态压降 下表面 制作 生长
【主权项】:
1.一种功率二极管,其特征在于,包括:第一导电类型的衬底;第一导电类型的第一外延层,生长于所述衬底上表面;第二导电类型的埋层,注入形成于所述第一外延层的上表面;第一导电类型的第二外延层,形成于所述第一外延层上表面;第一导电类型的第一注入区,注入形成于所述第二外延层的上表面,所述第一注入区的宽度大致等于所述埋层的宽度;第二导电类型的第二注入区,形成于所述第二外延层内与所述埋层相对应的位置且与所述埋层连接;第二导电类型的第三注入区,形成于所述第二外延层内且位于所述第二注入区的上方,所述第二注入区与所述第三注入区连接,所述第二注入区的深度和宽度大于所述第三注入区的深度和宽度;第一电极,形成于所述第二外延层的上表面;第二电极,形成于所述衬底的下表面并与所述衬底连接。
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