[发明专利]一种功率二极管及其制作方法

说明书

本发明提供一种功率二极管及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面注入形成第二导电类型的埋层；在所述第一外延层上表面形成第一导电类型的第二外延层；在所述第二外延层上表面注入形成第一导电类型的第一注入区；在所述第二外延层内与所述埋层相对应的位置形成第二导电类型的第二注入区，且所述第二注入区与所述埋层连接；在所述第二外延层内位于所述第二注入区的上方形成第二导电类型的第三注入区，所述第二注入区与所述第三注入区连接；在所述第二外延层上表面形成第一电极；在所述衬底的下表面形成与所述衬底连接的第二电极，从而降低通态压降，提高击穿电压。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种功率二极管及其制作方法。

背景技术

功率二极管是电路系统的关键部件，广泛适用于在高频逆变器、数码产品、发电机、电视机等民用产品和卫星接收装置、导弹及飞机等各种先进武器控制系统和仪器仪表设备的军用场合。功率二极管正向着两个重要方向拓展：(1)向几千万乃至上万安培发展，可应用于高温电弧风洞、电阻焊机等场合；(2)反向恢复时间越来越短，呈现向超快、超软、超耐用方向发展，使自身不仅用于整流场合，在各种开关电路中有着不同作用。为了满足低功耗、高频、高温、小型化等应用要求对其的耐压、导通电阻、开启压降、反向恢复特性、高温特性等越来越高。

通常应用的有普通整流二极管、肖特基二极管、PIN二极管。其中肖特基整流管具有较低的通态压降，较大的漏电流，反向恢复时间几乎为零。而PIN二极管的频带宽，可达10GHz，但目前的PIN二极管的通态压降较高，因此，针对现有技术的不足，需要一种能够降低通态压降的功率二极管。

发明内容

本发明正是基于上述问题，提出了一种功率二极管及其制作方法，能够降低通态压降。

有鉴于此，本发明实施例一方面提出了一种功率二极管，该功率二极管包括：

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的第一外延层，生长于所述衬底上表面；

第二导电类型的埋层，注入形成于所述第一外延层的上表面；

第一导电类型的第二外延层，形成于所述第一外延层上表面；

第一导电类型的第一注入区，注入形成于所述第二外延层的上表面，所述第一注入区的宽度大致等于所述埋层的宽度；

第二导电类型的第二注入区，形成于所述第二外延层内与所述埋层相对应的位置且与所述埋层连接；

第二导电类型的第三注入区，形成于所述第二外延层内且位于所述第二注入区的上方，所述第二注入区与所述第三注入区连接，所述第二注入区的深度和宽度大于所述第三注入区的深度和宽度；

第一电极，形成于所述第二外延层的上表面；

第二电极，形成于所述衬底的下表面并与所述衬底连接。

进一步地，所述第一注入区的掺杂浓度高于所述衬底的掺杂浓度，所述衬底的掺杂浓度高于所述第一外延层的掺杂浓度，所述第一外延层的掺杂浓度高于所述第二外延层的掺杂浓度。

进一步地，所述埋层的掺杂浓度高于所述第三注入区的掺杂浓度，所述第三注入区的掺杂浓度高于所述第二注入区的掺杂浓度。

进一步地，所述第二注入区的数量与所述第三注入区以及所述埋层的数量相同，所述第一注入区与所述第三注入区间隔设置。

进一步地，所述第一注入区与所述第二注入区部分连接。

本发明实施例另一方面提供一种功率二极管的制作方法，该方法包括：

提供第一导电类型的衬底；