[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种能够提高双极晶体管和电路元件的布局的自由度的半导体装置。在具有包含在进行了蚀刻率依赖于晶面取向的各向异性蚀刻时倒台面型的台阶延伸的第一方向和正台面型的台阶延伸的第二方向的上表面的单晶的半导体基板上，配置有：双极晶体管，包含外延生长的集电极层、基极层、以及发射极层；和基极布线，与基极层连接。在基极层的边缘设置有台阶，基极布线在俯视下在与第一方向交叉的方向上从基极层的内侧引出至外侧。基极层的边缘与基极布线的交叉部位设为断线防止构造，该断线防止构造与对基极层和集电极层进行各向异性蚀刻而形成的倒台面型的台阶和基极层交叉的构造相比，不易产生起因于台阶的基极布线的断线。

主权项

1.一种半导体装置，具有：单晶的半导体基板，具有上表面，该上表面包含在进行了蚀刻率依赖于晶面取向的各向异性蚀刻时倒台面型的台阶延伸的第一方向和正台面型的台阶延伸的第二方向；第一双极晶体管，包含在所述半导体基板上外延生长的第一集电极层、第一基极层以及第一发射极层；以及第一基极布线，与所述第一基极层连接，在所述第一基极层的边缘设置有台阶，所述第一基极布线在俯视下在与所述第一方向交叉的方向上从所述第一基极层的内侧引出至外侧，所述第一基极层的边缘与所述第一基极布线的交叉部位设为断线防止构造，所述断线防止构造与对所述第一基极层和所述第一集电极层进行各向异性蚀刻而形成的倒台面型的台阶和所述第一基极层交叉的构造相比，不易产生起因于台阶的所述第一基极布线的断线。