[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种能够提高双极晶体管和电路元件的布局的自由度的半导体装置。在具有包含在进行了蚀刻率依赖于晶面取向的各向异性蚀刻时倒台面型的台阶延伸的第一方向和正台面型的台阶延伸的第二方向的上表面的单晶的半导体基板上，配置有：双极晶体管，包含外延生长的集电极层、基极层、以及发射极层；和基极布线，与基极层连接。在基极层的边缘设置有台阶，基极布线在俯视下在与第一方向交叉的方向上从基极层的内侧引出至外侧。基极层的边缘与基极布线的交叉部位设为断线防止构造，该断线防止构造与对基极层和集电极层进行各向异性蚀刻而形成的倒台面型的台阶和基极层交叉的构造相比，不易产生起因于台阶的基极布线的断线。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

在下述的专利文献1公开了如下晶体管电路，即，在异质结双极晶体管(HBT)的基极插入基极镇流电阻，并在基极镇流电阻并联地设置了电容。基极镇流电阻防止基极电流的增大。与基极镇流电阻并联地连接的电容使高频信号的增益提高。在该晶体管电路中，包含HBT的集电极层(collector layer)、基极层(base layer)、以及发射极层(emitterlayer)的台面(mesa)部分的基极层通过基极指状物(基极布线)与构成并联地连接于基极镇流电阻的电容的台面部分连接。

在下述的专利文献2公开了一种异质结双极晶体管，其包含在基板上的集电极台面上设置的基极层以及发射极层。集电极台面的在第一方向上延伸的第一边缘具有正台面表面(forward mesa surface)，在与其正交的第二方向上延伸的第二边缘具有倒台面表面(inverted mesa surface)。一对集电极电极(collector electrode)配置于在第一方向上夹着集电极台面的位置。在集电极台面上配置有发射极电极以及一对基极电极(baseelectrode)，一对基极电极配置于在第一方向上夹着发射极电极(emitter electrode)的位置。与基极电极连接的基极导电层横穿集电极台面的第一边缘而延伸。由于第一边缘具有正台面表面，因此能够抑制由基极导电层的断线造成的成品率下降。

在下述的专利文献3公开了一种HBT，其具有集电极层以及形成在集电极层上的基极层以及发射极层，所述集电极层具有长方形的平面形状。在集电极层的与短边方向平行的边缘形成倒台面表面，在与长边方向平行的边缘形成正台面表面。基极布线横穿集电极层的在长边方向上延伸的边缘并向外部引出。由于在集电极层的在长边方向上延伸的边缘形成有正台面表面，因此能够抑制由基极布线的断线造成的成品率下降。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-114698号公报

专利文献2：日本特开2004-363322号公报

专利文献3：日本特开2015-032623号公报

发明内容

发明要解决的课题

在以往的半导体装置中，将基极布线配置为横穿具有正台面表面的基极层的边缘，因此从基极层向外部引出基极布线的方向被限定。因此，HBT以及与HBT的基极连接的其它电路元件的布局受到限制。本发明的目的在于，提供一种能够提高双极晶体管和电路元件的布局的自由度的半导体装置。

用于解决课题的技术方案

根据本发明的第一观点的半导体装置具有：

单晶的半导体基板，具有上表面，该上表面包含在进行了蚀刻率依赖于晶面取向的各向异性蚀刻时倒台面型的台阶延伸的第一方向和正台面型的台阶延伸的第二方向；

第一双极晶体管，包含在所述半导体基板上外延生长的第一集电极层、第一基极层以及第一发射极层；以及

第一基极布线，与所述第一基极层连接，

在所述第一基极层的边缘设置有台阶，