[发明专利]封装结构及其形成方法有效
申请号: | 201810737809.0 | 申请日: | 2018-07-06 |
公开(公告)号: | CN110391206B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 庄俊逸;罗国韶;何信芳 | 申请(专利权)人: | 南亚电路板股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本公开的实施例提供一种封装结构,包括:第一重布线结构,包括第一介电层及设置于第一介电层中的第一重布线电路;第二重布线结构,包括第一部分及第二部分,其中第一部分设置于第一重布线结构上并电性连接第一重布线结构,且第二部分设置于第一部分上并电性连接第一部分,其中第二部分的电路密度小于第一部分的电路密度;其中第一部分包括:第二介电层、及设置于第二介电层中的第二重布线电路;第二部分包括:第三介电层、设置于第三介电层中的第三重布线电路、及设置于第三介电层中的加强层,其中加强层与第三重布线电路之间被第三介电层隔开。本公开的实施例亦提供一种封装结构的形成方法。 | ||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装结构,包括:一第一重布线结构,包括:一第一介电层,及一第一重布线电路,设置于该第一介电层之中;一第二重布线结构,包括一第一部分及一第二部分,其中该第一部分设置于该第一重布线结构上并电性连接该第一重布线结构,且该第二部分设置于该第一部分上并电性连接该第一部分,其中该第二部分的电路密度小于该第一部分的电路密度;其中该第一部分包括:一第二介电层,及一第二重布线电路,设置于该第二介电层之中;该第二部分包括:一第三介电层,一第三重布线电路,设置于该第三介电层之中;及一加强层,设置于该第三介电层之中,且该加强层与该第三重布线电路之间被该第三介电层隔开。
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