[发明专利]封装结构及其形成方法

说明书

本公开的实施例提供一种封装结构，包括：第一重布线结构，包括第一介电层及设置于第一介电层中的第一重布线电路；第二重布线结构，包括第一部分及第二部分，其中第一部分设置于第一重布线结构上并电性连接第一重布线结构，且第二部分设置于第一部分上并电性连接第一部分，其中第二部分的电路密度小于第一部分的电路密度；其中第一部分包括：第二介电层、及设置于第二介电层中的第二重布线电路；第二部分包括：第三介电层、设置于第三介电层中的第三重布线电路、及设置于第三介电层中的加强层，其中加强层与第三重布线电路之间被第三介电层隔开。本公开的实施例亦提供一种封装结构的形成方法。

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其形成方法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也迈向多功能及高性能的趋势。目前半导体封装结构已开发出不同的封装形态，为了满足半导体封装件高整合度及微型化的封装需求，封装基板也由双层电路板演变成多层电路板，以于有限的空间中运用层间连接技术扩大封装基板上可供利用的布线面积，并能配合高线路密度的集成电路的使用需求，且降低封装基板的厚度，以达到封装结构轻薄短小及提高电性功能的目的。

在现有技术中，使用传统机钻式逐次压合法(drilled sequential lamination)将分别完成的重布线结构进行压合，由于该方法需通过中介层使重布线结构彼此结合，导致整体厚度无法轻薄化及制造成本高等问题。再者，为了因应微小化及高密度化的趋势，目前已发展出无核心(coreless)封装基板，然而，由于无核心基板厚度变小，故无法提供足够的支撑性，以达到平坦化的要求，特别是在高温植球时，超薄化的基板受热而造成翘曲变形的情形更加严重，对后段的封装制程带来不良的影响。

因此，目前亟需一种新的封装结构及其形成方法，使封装结构能够达到高密度化及轻薄化，并能够加强无核心基板的支撑性以降低基板翘曲的发生，进而增进后段封装制程的品质。

发明内容

根据一些实施例，本发明提供一种封装结构，包括：第一重布线结构，包括第一介电层，及设置于第一介电层中的第一重布线电路；第二重布线结构，包括第一部分以及第二部分，其中第一部分设置于第一重布线结构上并电性连接第一重布线结构，且第二部分设置于第一部分上并电性连接第一部分，其中第二部分的电路密度小于第一部分的电路密度；第一部分包括：第二介电层，及设置于第二介电层中的第二重布线电路；第二部分包括：第三介电层、设置于第三介电层中的第三重布线电路、及设置于第三介电层中的加强层，其中加强层与第三重布线电路之间被第三介电层隔开。

根据一些实施例，本发明提供一种封装结构，包括：第一重布线结构，包括：第一介电层，及设置于该第一介电层中的第一重布线电路；第二重布线结构，包括第一部分、第二部分及第三部分，其中第一部分设置于第一重布线结构上并电性连接第一重布线结构，第二部分设置于第一部分上并电性连接第一部分，且第三部分设置于第一重布线结构的侧壁上，其中第二部分的电路密度小于第一部分的电路密度；其中第一部分包括：第二介电层，及设置于第二介电层中的第二重布线电路；第二部分包括：第三介电层、设置于第三介电层中的第三重布线电路、及设置于第三介电层中的加强层，其中加强层与第三重布线电路之间被第三介电层隔开。

根据一些实施例，本发明提供一种封装结构的形成方法，包括：形成第一重布线结构，包括：形成第一介电层，及形成第一重布线电路于第一介电层之中；形成第二重布线结构的第一部分于第一重布线结构上，包括：形成第二介电层，及形成第二重布线电路于第二介电层中；形成第二重布线结构的第二部分于第一部分上，其中第二部分的电路密度小于第一部分的电路密度，包括：形成第三介电层，形成第三重布线电路于该第三介电层中；及形成加强层于第三介电层中，其中加强层与第三重布线电路之间被第三介电层隔开。

附图说明

以下将配合说明书附图详述本公开的实施例，应注意的是，依照工业上的标准实施，以下图示并未按照比例绘制，事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸以便清楚表现出本公开的特征。而在说明书及附图中，除了特别说明外，同样或类似的元件将以类似的符号表示。