[发明专利]封装结构及其形成方法有效
申请号: | 201810737809.0 | 申请日: | 2018-07-06 |
公开(公告)号: | CN110391206B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 庄俊逸;罗国韶;何信芳 | 申请(专利权)人: | 南亚电路板股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装结构,包括:
一第一重布线结构,包括:
一第一介电层,及
一第一重布线电路,设置于该第一介电层之中;
一第二重布线结构,包括一第一部分及一第二部分,其中该第一部分设置于该第一重布线结构上并电性连接该第一重布线结构,且该第二部分设置于该第一部分上并电性连接该第一部分,其中该第二部分的电路密度小于该第一部分的电路密度;
其中该第一部分包括:
一第二介电层,及
一第二重布线电路,设置于该第二介电层之中;
该第二部分包括:
一第三介电层,
一第三重布线电路,设置于该第三介电层之中;及
一加强层,设置于该第三介电层之中,且该加强层与该第三重布线电路之间被该第三介电层隔开,且该加强层与该第三重布线电路之间无电性连接,且该加强层被该第三介电层完整地包覆。
2.如权利要求1所述的封装结构,其中该加强层的材料包括金属、金属合金、陶瓷基板、有机基板或上述材料的组合。
3.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一重布线结构的电路密度大于该第二重布线结构的电路密度。
4.如权利要求1所述的封装结构,其中该第一重布线结构的侧壁齐平于该第二重布线结构的侧壁。
5.如权利要求1所述的封装结构,其中在该第一重布线结构中,越靠近该第二重布线电路的区域具有越小的电路密度。
6.如权利要求1所述的封装结构,其中该加强层包括一第一加强件及一第二加强件,且该第三重布线电路具有一导孔,位于该第一加强件与该第二加强件之间,其中该导孔具有一渐细的宽度。
7.一种封装结构,包括:
一第一重布线结构,包括:
一第一介电层,及
一第一重布线电路,设置于该第一介电层之中;
一第二重布线结构,包括一第一部分、一第二部分及一第三部分,其中该第一部分设置于该第一重布线结构上并电性连接该第一重布线结构,该第二部分设置于该第一部分上并电性连接该第一部分,且该第三部分设置于该第一重布线结构的侧壁上,其中该第二部分的电路密度小于该第一部分的电路密度;
其中该第一部分包括:
一第二介电层,及
一第二重布线电路,设置于该第二介电层之中;
该第二部分包括:
一第三介电层,
一第三重布线电路,设置于该第三介电层之中;及
一加强层,设置于该第三介电层之中,且该加强层与该第三重布线电路之间被该第三介电层隔开。
8.如权利要求7所述的封装结构,其中该第二重布线结构的该第三部分中无导电结构。
9.如权利要求7所述的封装结构,其中该第二重布线结构覆盖该第一重布线结构的顶面及至少两个侧壁。
10.如权利要求7所述的封装结构,其中在该第二重布线结构中,该第三部分的侧壁齐平于该第一部分及该第二部分的侧壁。
11.一种封装结构的形成方法,包括:
形成一第一重布线结构,包括:
形成一第一介电层,及
形成一第一重布线电路于该第一介电层之中;
形成一第二重布线结构的一第一部分于该第一重布线结构上,包括:
形成一第二介电层,及
形成一第二重布线电路于该第二介电层中;
形成该第二重布线结构的一第二部分于该第一部分上,其中该第二部分的电路密度小于该第一部分的电路密度,包括:
形成一第三介电层,
形成一第三重布线电路于该第三介电层中;及
形成一加强层于该第三介电层中,其中该加强层与该第三重布线电路之间被该第三介电层隔开,且该加强层与该第三重布线电路之间无电性连接,且该加强层被该第三介电层完整地包覆。
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