[发明专利]存储器及工艺方法在审
申请号: | 201810697558.8 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN108878432A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | 刘冬华 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/11521 | 分类号: | H01L27/11521;H01L27/11548;H01L29/423 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种存储器,在衬底的阱中具有源区,衬底表面具有栅氧化层,在栅氧化层之上,具有以字线多晶硅为中心的左右对称的结构,在字线多晶硅的左右对称的两侧,从栅氧化层往上依次为浮栅、绝缘介质层、控制栅以及氮化硅层;在横向上,控制栅和氮化硅层,与字线多晶硅之间还间隔有隧穿氧化层以及偏移氧化层;隧穿氧化层与栅氧化层连为一体呈U字型将字线多晶硅完全包裹,与周边结构隔离;所述的隧穿氧化层与偏移氧化层之间,还间隔有一层第三氧化物侧墙,对称分布在字线多晶硅的两侧。本发明还公开了所述存储器的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 字线多晶硅 隧穿氧化层 栅氧化层 存储器 氧化层 氮化硅层 左右对称 偏移 控制栅 绝缘介质层 氧化物侧墙 衬底表面 对称分布 周边结构 衬底 从栅 浮栅 源区 隔离 制造 | ||
【主权项】:
1.一种存储器,在衬底的阱中具有源区,衬底表面具有栅氧化层,在栅氧化层之上,具有以字线多晶硅为中心的左右对称的结构,在字线多晶硅的左右对称的两侧,从栅氧化层往上依次为浮栅、绝缘介质层、控制栅以及氮化硅层;在横向上,控制栅和氮化硅层,与字线多晶硅之间还间隔有隧穿氧化层以及偏移氧化层;隧穿氧化层与栅氧化层连为一体呈U字型将字线多晶硅完全包裹,与周边结构隔离;其特征在于:所述的隧穿氧化层与偏移氧化层之间,还间隔有一层第三氧化物侧墙,对称分布在字线多晶硅的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的