[发明专利]存储器及工艺方法在审

专利信息
申请号: 201810697558.8 申请日: 2018-06-29
公开(公告)号: CN108878432A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 刘冬华 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L27/11548;H01L29/423
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种存储器,在衬底的阱中具有源区,衬底表面具有栅氧化层,在栅氧化层之上,具有以字线多晶硅为中心的左右对称的结构,在字线多晶硅的左右对称的两侧,从栅氧化层往上依次为浮栅、绝缘介质层、控制栅以及氮化硅层;在横向上,控制栅和氮化硅层,与字线多晶硅之间还间隔有隧穿氧化层以及偏移氧化层;隧穿氧化层与栅氧化层连为一体呈U字型将字线多晶硅完全包裹,与周边结构隔离;所述的隧穿氧化层与偏移氧化层之间,还间隔有一层第三氧化物侧墙,对称分布在字线多晶硅的两侧。本发明还公开了所述存储器的制造方法。
搜索关键词: 字线多晶硅 隧穿氧化层 栅氧化层 存储器 氧化层 氮化硅层 左右对称 偏移 控制栅 绝缘介质层 氧化物侧墙 衬底表面 对称分布 周边结构 衬底 从栅 浮栅 源区 隔离 制造
【主权项】:
1.一种存储器,在衬底的阱中具有源区,衬底表面具有栅氧化层,在栅氧化层之上,具有以字线多晶硅为中心的左右对称的结构,在字线多晶硅的左右对称的两侧,从栅氧化层往上依次为浮栅、绝缘介质层、控制栅以及氮化硅层;在横向上,控制栅和氮化硅层,与字线多晶硅之间还间隔有隧穿氧化层以及偏移氧化层;隧穿氧化层与栅氧化层连为一体呈U字型将字线多晶硅完全包裹,与周边结构隔离;其特征在于:所述的隧穿氧化层与偏移氧化层之间,还间隔有一层第三氧化物侧墙,对称分布在字线多晶硅的两侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810697558.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top