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[实用新型]从横梁内部空腔固定栅杆的结构-CN201220045239.7有效
发明人：康振辉 -专利权人：福建省盛恒辉金属科技有限公司
申请日： 2012-02-12 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： E04B1/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及从横梁内部空腔固定栅杆的结构，应用于无焊接防护栏栅杆与横梁之间的固定。它带有一只插在横梁上表面栅杆孔上的橡塑保护环，栅杆通过橡塑保护环内孔穿过横梁上表面栅杆孔和下表面栅杆孔，其特征是栅杆前侧表面带前上凸起、前下凸起；栅杆后侧表面带后上凸起、后下凸起；前上凸起、后上凸起皆从横梁内空部腔抵向横梁上表面；前下凸起、后下凸起皆从横梁内空部腔抵向横梁下表面。具有栅杆与横梁交叉处连接更加牢固，限制栅杆作纵向运动从横梁空腔内部去机械固定，进一步增加上从外部破坏栅杆与横梁连接结构的难度；减少了使用配件数，提高了社会资源的利用率，降低了经济成本和人工成本的优点。
横梁内部空腔固定结构

[实用新型]一种改善电池片印刷EL断栅虚印的网版-CN201921640284.5有效
发明人：欧琪;张晓平 -专利权人：四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： B41F15/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善电池片印刷EL断栅虚印的网版，网版包括纵向的主栅线和横向的细栅线，细栅线上从主栅线与细栅线交汇处的到细栅线的两端的方向上依次设置有第一栅线和第二栅线，第一栅线和第二栅线的宽度从主栅线与细栅线交汇处的到细栅线的两端的方向上逐渐减小；第一栅线的宽度大于第二栅线的宽度，第二栅线的宽度大于细栅线的宽度。本装置能有效的增加主栅线与细栅线交汇处的浆料沉积量，避免断栅，更便于长期使用。
一种改善电池印刷 el 断栅虚印

[发明专利]离子推进器-CN202010639957.6在审
发明人：沈旭东;赵艳珩;朱荣帅 -专利权人：安徽华东光电技术研究所有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： F03H1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种离子推进器，主阴极上有主阴极通道，电离室上有进口通道，推进气体通过主阴极通道和进口通道注入电离室；主阴极用于发射电子到电离室与推进气体碰撞被电离成正离子和电子，电离室内气体为等离子态；加速栅包括电子加速栅和离子加速栅，离子加速栅位于中心位置，电子加速栅位于两侧；在电子加速栅上加正电压，电子从电离室被加速，从屏栅和电子加速栅孔中发射出去；在离子加速栅上加负电压，正离子从电离室被加速，从屏栅和离子加速栅孔中发射出去，以使得正离子加速运动发射时
离子推进器

[发明专利]一种太阳能电池片栅线粗细异常的检测方法、装置及设备-CN201910597052.4有效
发明人：谢宏威;周聪;陈从桂;谢德芳;李德友 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明专利公开了一种太阳能电池片栅线粗细异常的检测方法，步骤包括：获取待检测图像并对所述待检测图像进行平滑处理；根据相邻区域的灰度值对平滑处理后的图像进行二值化处理，并将二值化处理后的图像分成不同的区域集；根据面积特征，从所述区域集中筛选出栅线区域；从所述栅线区域中，提取出像素点分布在竖直方向的细栅区域，以及提取出像素点分布在水平方向的横栅区域；根据宽度特征，从所述横栅区域中提取出段栅区域；提取所述段栅区域后，对所述横栅区域进行差集运算，得到主栅区域；基于灰度值，分别对细栅区域、段栅区域、主栅区域的粗细程度进行判别。本发明能够提高栅线区域图像的提取精度，从而提升电池片质量检测效果。
一种太阳能电池片栅线粗细异常检测方法装置设备

[发明专利]一种新型SOI-LIGBT器件-CN201310159931.1无效
发明人：黄勇;孟令锋 -专利权人：四川长虹电器股份有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，其公开了一种新型SOI-LIGBT器件，解决传统技术中的SOI-LIGBT器件结构带来的栅端电压分布不均匀，造成IGBT器件的开启不一致、关闭不一致的问题。该器件包括N型缓冲区、P型体区、深阱区、栅氧化层；从所述N型缓冲区中引出有漏端电极，从所述P型体区中引出有栅端电极，且栅端电极的端部位于栅氧化层上并与栅氧化层相接触；从所述深阱区引出有源端电极；还包括栅端电极引出结构，所述栅端电极引出结构与所述栅端电极的端部连接，由所述栅端电极引出结构与所述栅端电极构成新的栅端电极。
一种新型 soi ligbt 器件

[发明专利]具有槽型结构的半导体器件及其制造方法-CN200610093446.9有效
发明人：中村胜光 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-03-13 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：在具有槽型MOS栅结构的MOS栅功率器件等的半导体器件中，使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜，同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外，从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚，在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。
具有结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有槽型结构的半导体器件及其制造方法-CN200610093440.1有效
发明人：中村胜光 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-03-13 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在具有槽型MOS栅结构的MOS栅功率器件等的半导体器件中，使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜，同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外，从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚，在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。
具有结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有槽型结构的半导体器件及其制造方法-CN200610101404.5有效
发明人：中村胜光 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-03-13 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：在具有槽型MOS栅结构的MOS栅功率器件等的半导体器件中，使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜，同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外，从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚，在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。
具有结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有槽型结构的半导体器件及其制造方法-CN98105553.2有效
发明人：中村胜光 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-03-13 - 公布日： 1999-01-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在具有槽型MOS栅结构的MOS栅功率器件等的半导体器件中,使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜,同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外,从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚,在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。
具有结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有槽型结构的半导体器件及其制造方法-CN200410082631.9有效
发明人：中村胜光 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1998-03-13 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在具有槽型MOS栅结构的MOS栅功率器件等的半导体器件中，使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜，同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外，从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚，在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。
具有结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有栅电极的半导体器件-CN201910565810.4在审
发明人：金镇祐;裵哲辉;金杨谦;金成恩;裵相友;司空炫哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸；第二鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸，第一鳍和第二鳍间隔开；栅线，包括虚设栅电极和栅电极，虚设栅电极至少部分地覆盖第一鳍，栅电极至少部分地覆盖第二鳍，虚设栅电极包括与栅电极不同的材料，栅线覆盖第一鳍和第二鳍，栅线沿不同于第一方向的第二方向延伸；以及栅电介质层，在栅电极和第二鳍之间。
具有电极半导体器件

[实用新型]一种新型屏蔽栅MOSFET器件栅结构-CN202220457562.9有效
发明人：王新;周仲建;张帅 -专利权人：成都复锦功率半导体技术发展有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种新型屏蔽栅MOSFET器件栅结构，自下而上依次生长有衬底、半导体漂移区、body区和半导体源区，还包括栅结构，所述栅结构从半导体源区中间部位向下贯穿body区后延伸至半导体漂移区内，由位于中间部位的屏蔽栅和位于屏蔽栅上方的控制栅构成；所述衬底的下方设置有漏电极，半导体源区的上方设置有源电极，所述屏蔽栅和控制栅分别从栅结构中引出，形成屏蔽栅电极和控制栅电极；所述屏蔽栅电极、控制栅电极以及源电极在芯片表面形成互不接触的屏蔽栅电极PAD、控制栅电极PAD以及源电极PAD。通过将屏蔽栅电极从栅结构中单独引出进行控制，能够有效降低器件导通时，屏蔽栅极侧壁区域电阻和调节工艺变化对器件击穿电压性能的影响。
一种新型屏蔽 mosfet 器件结构

[发明专利]微栅切割装置-CN201210095724.X有效
发明人：冯辰;郭雪伟 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-04-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：一种微栅切割装置，其包括：一支撑单元，该支撑单元用于放置所述微栅所在的金属片；一切割单元，该切割单元用于将所述微栅从所在的金属片切下；使用所述微栅切割装置切割所述微栅时，将该微栅所在的金属片放置于所述支撑单元与所述切割单元之间，使微栅位于该支撑单元，控制切割单元，使该切割单元与所述支撑单元配合将微栅从所在的金属片切下。
切割装置

[发明专利]蒸汽轮机-CN202110198948.2有效
发明人：香田拓郎 -专利权人：三菱重工压缩机有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F01D1/04 文献下载
摘要：蒸汽轮机具备配置于第一动叶栅与第二静叶栅之间、且将所述流体从所述第一动叶栅向所述第二静叶栅引导的引导构件，在从周向观察时，所述第二静叶栅的内侧环的外周面配置于比所述第一动叶栅的平台的外周面靠径向的内侧的位置，所述引导构件具有引导面，该引导面以从所述第一动叶栅的所述护罩的外周面朝向所述第二静叶栅的所述外侧环的内周面的方式、且以随着从轴向的第一侧朝向第二侧而朝向所述径向的内侧的方式倾斜地延伸。
蒸汽轮机

[实用新型]一种铅酸蓄电池栅板-CN201020273158.3无效
发明人：张武生 -专利权人：东莞市欧雷玛电源有限公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01M4/73 文献下载
摘要：一种铅酸蓄电池栅板，包括栅板框，栅板框上设有栅条以及由栅条拼成的栅格，栅格中填充有活性物质。栅条分为两组，一组从栅板框的左上角向右下角延伸，另一组从栅板框的右上角向左下角延伸，两组栅条相交，形成的结点为“X”形，构成的栅格为菱形或平行四边形。栅条以PSU塑料作基底，有色金属作嵌件，合金铅作外层来构成。这样的结构特点，使得电池栅板具有机械强度高、厚度薄、电阻小等优点。
一种蓄电池

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