[发明专利]TFT阵列基底、包括其的显示装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810605594.7 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109087920A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 秋秉权;裵俊和;赵玹辰;千俊赫;尹智莲;曹雨辰;崔成焕;崔贞惠 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/28;H01L29/423;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基底、包括其的显示装置及制造其的方法。该TFT阵列基底包括基础基底、设置在基础基底上的半导体层、设置在半导体层上的绝缘层以及设置在绝缘层上的栅电极。绝缘层的在基础基底的平面图中与半导体层叠置的部分的顶表面同栅电极的顶表面被设置在同一水平上。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 绝缘层 半导体层 显示装置 顶表面 栅电极 薄膜晶体管 同一水平 半导体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基底，所述薄膜晶体管阵列基底包括：基础基底；半导体层，设置在所述基础基底上；绝缘层，设置在所述半导体层上；以及栅电极，设置在所述绝缘层上，其中，所述绝缘层的在所述基础基底的平面图中与所述半导体层叠置的部分的顶表面同所述栅电极的顶表面被设置在同一水平上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
