[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810582040.X | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110581103B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吴柏翰;李甫哲;蔡建成;刘姿岑;吕文杰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，主要先形成一第一位线结构于一基底上，然后形成一第一间隙壁于第一位线结构旁，形成一层间介电层于第一间隙壁旁，去除部分层间介电层以及部分第一间隙壁并暴露出第一位线结构侧壁，之后再形成一第一存储节点接触隔离结构于第一位线结构旁，其中第一存储节点接触隔离结构直接接触第一位线结构以及第一间隙壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：/n形成一第一位线结构于一基底上；/n形成一第一间隙壁于该第一位线结构旁；/n形成一层间介电层于该第一间隙壁旁；/n去除部分该层间介电层以及部分该第一间隙壁并暴露出该第一位线结构侧壁；以及/n形成一第一存储节点接触隔离结构于该第一位线结构旁，其中该第一存储节点接触隔离结构直接接触该第一位线结构以及该第一间隙壁。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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