[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

形成一第一位线结构于一基底上；

形成一第一间隙壁于该第一位线结构旁；

形成一层间介电层于该第一间隙壁旁；

去除部分该层间介电层以及部分该第一间隙壁并暴露出该第一位线结构侧壁；以及

形成一第一存储节点接触隔离结构于该第一位线结构旁，其中该第一存储节点接触隔离结构直接接触该第一位线结构以及该第一间隙壁。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成该第一位线结构以及一第二位线结构于该基底上；

形成该第一间隙壁于该第一位线结构旁以及一第二间隙壁于该第二位线结构旁；

形成该层间介电层于该第一间隙壁以及该第二间隙壁之间；

去除部分该层间介电层、部分该第一间隙壁以及部分该第二间隙壁并暴露出该第一位线结构侧壁以及该第二位线结构侧壁；以及

形成该第一存储节点接触隔离结构于该第一位线结构以及该第二位线结构之间，其中该第一存储节点接触隔离结构直接接触该第一位线结构、该第一间隙壁、该第二位线结构以及该第二间隙壁。

3.如权利要求2所述的方法，另包含形成该第一存储节点接触隔离结构以及一第二存储节点接触隔离结构于该第一位线结构以及该第二位线结构之间。

4.如权利要求3所述的方法，其中该第二存储节点接触隔离结构直接接触该第一位线结构、该第一间隙壁、该第二位线结构以及该第二间隙壁。

5.如权利要求3所述的方法，另包含形成一存储节点接触于该第一存储节点接触隔离结构以及该第二存储节点接触隔离结构之间。

6.如权利要求5所述的方法，其中该存储节点接触直接接触该第一间隙壁、该第二间隙壁、该第一存储节点接触隔离结构以及该第二存储节点接触隔离结构。

7.如权利要求1所述的方法，其中该第一存储节点接触隔离结构包含氮碳化硅。

8.一种半导体元件，其特征在于，包含：

第一位线结构，沿着一第一方向延伸于一基底上；

第一间隙壁，沿着该第一方向延伸于该第一位线结构旁；以及

第一存储节点接触隔离结构，沿着一第二方向延伸于该第一位线结构旁，其中该第一存储节点接触隔离结构直接接触该第一位线结构以及该第一间隙壁。

9.如权利要求8所述的半导体元件，另包含：

第二位线结构，沿着该第一方向延伸于该基底上；

第二间隙壁，沿着该第一方向延伸于该第二位线结构旁；以及

该第一存储节点接触隔离结构设于该第一位线结构以及该第二位线结构之间，其中该第一存储节点接触隔离结构直接接触该第一位线结构、该第一间隙壁、该第二位线结构以及该第二间隙壁。

10.如权利要求9所述的半导体元件，另包含第二存储节点接触隔离结构，设于该第一位线结构以及该第二位线结构之间。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第二存储节点接触隔离结构直接接触该第一位线结构、该第一间隙壁、该第二位线结构以及该第二间隙壁。

12.如权利要求10所述的半导体元件，另包含存储节点接触，设于该第一存储节点接触隔离结构以及该第二存储节点接触隔离结构之间。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该存储节点接触直接接触该第一间隙壁、该第二间隙壁、该第一存储节点接触隔离结构以及该第二存储节点接触隔离结构。

14.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一存储节点接触隔离结构包含氮碳化硅。