[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

公开了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；通过刻蚀半导体衬底上第二介质层露出所述第一介质层，然后在其上形成阻挡层和第三介质层；通过刻蚀源/漏区上方形成多个露出源/漏区的第一凹槽；刻蚀所述第一凹槽相邻区域形成露出所述金属栅极结构的第二凹槽，分别在所述第一凹槽和第二凹槽中形成第一导电结构和第二导电结构。本发明实施例通过增加阻挡层限制形成金属栅极结构上导电结构(M0G)的第二凹槽的深度，可以使得源极/漏极与栅极结构上导电结构之间的侧壁结构的厚度可控，避免了源极/漏极与栅极结构上导电结构形成短路，由此可以改善半导体结构的电学性能和良率。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍片结构、横跨鳍片结构的金属栅极结构、覆盖所述金属栅极结构的第一介质层以及覆盖所述第一介质层和所述鳍片结构的第二介质层；/n刻蚀预定厚度的所述第二介质层露出所述第一介质层；/n形成阻挡层覆盖被露出的第一介质层以外的区域；/n形成第三介质层覆盖所述第一介质层和所述阻挡层；/n刻蚀源/漏区上方的第三介质层、阻挡层和第二介质层以形成多个露出源/漏区的第一凹槽；/n刻蚀所述第一凹槽相邻区域的所述第三介质层直至阻挡层和至少部分第一介质层以形成露出所述金属栅极结构的第二凹槽，所述第二凹槽通过所述第三介质层形成的侧壁与所述第一凹槽相互隔离；/n分别在所述第一凹槽和第二凹槽中形成第一导电结构和第二导电结构。/n