[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍片结构、横跨鳍片结构的金属栅极结构、覆盖所述金属栅极结构的第一介质层以及覆盖所述第一介质层和所述鳍片结构的第二介质层；

刻蚀预定厚度的所述第二介质层露出所述第一介质层；

形成阻挡层覆盖被露出的第一介质层以外的区域；

形成第三介质层覆盖所述第一介质层和所述阻挡层；

刻蚀源/漏区上方的第三介质层、阻挡层和第二介质层以形成多个露出源/漏区的第一凹槽；

刻蚀所述第一凹槽相邻区域的所述第三介质层直至阻挡层和至少部分第一介质层以形成露出所述金属栅极结构的第二凹槽，所述第二凹槽通过所述第三介质层形成的侧壁与所述第一凹槽相互隔离；

分别在所述第一凹槽和第二凹槽中形成第一导电结构和第二导电结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定厚度被设置为使得刻蚀后的第二介质层的顶部低于所述金属栅极结构的顶部。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度被设置为使得阻挡层的顶部与所述第一介质层的顶部对齐。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的材料的刻蚀率小于所述第一介质层、第二介质层和第三介质层的材料的刻蚀率。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二介质层和第三介质层的材料为用于形成浅沟槽隔离结构的氧化物；

所述阻挡层的材料包括SiON，SiCO，TiO2中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源/漏区包括形成于鳍片结构上部的外延结构。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属栅极结构为高K值金属栅极堆叠结构(HKMG)。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构为静态随机存储器(SRAM)，所述第一导电结构用于形成鳍式场效应晶体管的源极或漏极，所述第二导电结构用于形成连接金属栅极结构的导线。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

鳍片结构；

金属栅极结构，横跨所述鳍片结构；

第一导电结构，覆盖所述鳍片结构上方的源/漏区；

第二导电结构，与至少一个所述第一导电结构相邻，与所述金属栅极结构连接；

阻挡层，位于所述第一导电结构和侧墙结构下方；

第一介质层，覆盖部分所述金属栅极结构；

第二介质层，位于阻挡层下方，用于隔离不同的第一导电结构；以及

第三介质层，位于所述阻挡层上方，形成用于隔离所述第一导电结构和所述第二导电结构的所述侧墙结构；

其中，所述第二介质层的顶部低于所述金属栅极结构的顶部，所述阻挡层的材料的刻蚀率小于所述第一介质层、第二介质层和第三介质层的材料的刻蚀率。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的顶部与所述第一介质层的顶部对齐。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层和第三介质层的材料为用于形成浅沟槽隔离结构的氧化物；

所述阻挡层的材料包括SiON，SiCO，TiO2中的一种或多种。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述源/漏区包括形成于鳍片结构上部的外延结构。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述金属栅极结构为高K值金属栅极堆叠结构(HKMG)。

14.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为静态随机存储器(SRAM)，所述第一导电结构用于形成鳍式场效应晶体管的源极或漏极，所述第二导电结构用于形成连接金属栅极结构的导线。