[发明专利]一种半导体芯片生产工艺

摘要

本发明属于半导体芯片制造技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺，该工艺包括如下步骤：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；将晶圆放入高温扩散炉内进行氧化处理；将晶圆表面涂抹光刻胶后放入光刻机中进行曝光、显影；将晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；将晶圆送入高温炉中进行掺杂；将晶圆输送至下一工序；通过在箱体顶板下方设置振动装置，实现晶圆反应表面的固体产物通过振动脱落；通过在振动装置下方设置旋转装置，实现了晶圆转动，进而实现使晶圆反应面均匀的接受离子的轰击，进而实现提高晶圆的加工质量；通过在光杆上设置抽吸板；实现了去除晶圆反应表面产生的反应产物，进而提高反应效率。

主权项

1.一种半导体芯片生产工艺，其特征在于：该工艺包括如下步骤：步骤一：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；步骤二：将步骤一中的晶圆放入高温扩散炉内进行氧化处理；步骤三：将步骤二中的晶圆表面涂抹光刻胶后放入光刻机中进行曝光、显影；步骤四：将步骤三中的晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；步骤五：将步骤四中的晶圆送入高温炉中进行掺杂；步骤六：将步骤五中的晶圆输送至下一工序；步骤四中的刻蚀机，包括箱体(1)、振动装置(2)、旋转装置(3)、夹紧装置(4)、加热器(5)、抽吸装置(6)、激励线圈(7)、送气装置(8)、偏压提供装置(9)，所述箱体(1)顶板上方设有偏压提供装置(9)；所述偏压提供装置(9)用于给晶圆施加偏压；所述箱体(1)顶板下方设有振动装置(2)；所述振动装置(2)用于使晶圆振动；所述振动装置(2)下方设有旋转装置(3)，所述旋转装置(3)用于给晶圆提供旋转的动力；所述旋转装置(3)下方设有夹紧装置(4)；所述夹紧装置(4)用于夹持晶圆；所述夹紧装置(4)下方设有抽吸装置(6)；所述抽吸装置(6)用于除去晶圆反应表面的反应产物；所述抽吸装置(6)下方的箱体内壁上设有激励线圈(7)，所述激励线圈(7)用于把反应气体电离；所述激励线圈(7)下方设有送气装置(8)；所述送气装置(8)用于通入反应气体；所述送气装置(8)旋转安装在箱体(1)底板上方；其中，所述振动装置(2)包括电磁铁(21)、弹簧、连接柱(22)、导向柱(23)，所述电磁铁(21)镶嵌在箱体(1)顶板上方；所述电磁铁(21)下方设有弹簧；所述弹簧内设有连接柱(22)；所述连接柱(22)一端设置大端面，连接柱(22)的大端面一端悬空，连接柱(22)的另一端与旋转装置(3)固定连接；所述旋转装置(3)包括机箱(31)、一号电机(32)、驱动齿轮(33)、从动齿轮(34)、一号轴承(35)，所述机箱(31)顶板上表面与连接柱(22)固定连接，机箱(31)顶板上表面右侧固定连接一号电机(32)机壳；所述一号电机(32)轴端头与驱动齿轮(33)固定连接；所述驱动齿轮(33)与从动齿轮(34)啮合；所述从动齿轮(34)下端面与一号轴承内圈(351)固定连接；所述一号轴承内圈(351)下端面与夹紧装置(4)固定连接；所述一号轴承外圈(352)上端面与机箱(31)底板外表面固定连接；所述夹紧装置(4)包括夹爪顶板(41)、夹爪(42)，所述夹爪顶板(41)上方与一号轴承内圈(351)下端面固定连接；所述夹爪顶板(41)下方设有夹爪(42)；所述夹爪(42)用于夹持晶圆；所述夹爪顶板(41)下方固定连接加热器(5)；所述加热器(5)用于对晶圆进行加热。