[发明专利]一种半导体芯片生产工艺

说明书

本发明属于半导体芯片制造技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺，该工艺包括如下步骤：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；将晶圆放入高温扩散炉内进行氧化处理；将晶圆表面涂抹光刻胶后放入光刻机中进行曝光、显影；将晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；将晶圆送入高温炉中进行掺杂；将晶圆输送至下一工序；通过在箱体顶板下方设置振动装置，实现晶圆反应表面的固体产物通过振动脱落；通过在振动装置下方设置旋转装置，实现了晶圆转动，进而实现使晶圆反应面均匀的接受离子的轰击，进而实现提高晶圆的加工质量；通过在光杆上设置抽吸板；实现了去除晶圆反应表面产生的反应产物，进而提高反应效率。

技术领域

本发明属于半导体芯片制造技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。晶圆是最常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格。晶圆越大，同一圆片上可生产的IC就越多，可降低成本；但对材料技术和生产技术的要求更高，例如均匀度等等的问题。一般认为硅晶圆的直径越大，代表着这座晶圆厂有更好的技术，在生产晶圆的过程当中，良品率是很重要的条件；刻蚀技术是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。干刻蚀基本上包括离子轰击与化学反应两部份刻蚀机制。偏离子轰击效应者使用氩气，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏化学反应效应者则采氟系或氯系气体，经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。

现有技术中也出现了一些半导体芯片刻蚀的技术方案，如申请号为201410356255.1的一项中国专利公开了一种刻蚀装置及刻蚀方法，包括：反应腔；晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。

该技术方案的刻蚀方法实现了无论刻蚀反应产物的挥发性高低均可持续地进行刻蚀，但晶圆刻蚀反应表面生成的反应产物不能及时排除，阻碍了新的反应的进行，进而影响了反应效率；反应气体注入过于集中，电离后的离子也就过于集中地轰击晶圆的局部区域，导致反应表面刻蚀层不均匀，影响晶圆加工质量。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，本发明提出的一种半导体芯片生产工艺，该工艺使用的刻蚀机通过在箱体顶板下方设置振动装置，实现晶圆反应表面的固体产物通过振动脱落；通过在振动装置下方设置旋转装置，实现了晶圆转动，进而实现使晶圆反应面均匀的接受离子的轰击；通过在光杆上设置抽吸板；实现了去除晶圆反应表面产生的反应产物。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种半导体芯片生产工艺，该工艺包括如下步骤：

步骤一：将晶圆放到研磨机上研磨成镜面；

步骤二：将步骤一中的晶圆放入高温扩散炉内进行氧化处理；

步骤三：将步骤二中的晶圆表面涂抹光刻胶后放入光刻机中进行曝光、显影；

步骤四：将步骤三中的晶圆送入刻蚀机中进行等离子刻蚀；

步骤五：将步骤四中的晶圆送入高温炉中进行掺杂；

步骤六：将步骤五中的晶圆输送至下一工序；