[发明专利]带有背腔结构的MEMS空气质量流量计芯片制造方法在审
| 申请号： | 201810401010.4 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108658035A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘福民;邱飞燕;梁德春;刘宇;张树伟;徐宇新 | 申请（专利权）人： | 北京航天控制仪器研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 徐辉 |
| 地址： | 100854 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带有背腔结构的MEMS空气质量流量计芯片制造方法，步骤为：硅片表面形成复合介质膜；用剥离法制备金属热敏电阻薄膜图形；在金属热敏电阻薄膜表面生长保护层；进行高温退火；去除焊盘上的保护层，露出焊盘的金属层；硅片背面光刻并进行干法刻蚀，形成背腔结构；芯片切割裂片，完成芯片加工。本发明在光刻、显影及等离子体打胶后引入了去离子水冲洗的步骤，可以有效去除等离子体清洗后在晶片表面的残余杂质，确保金属膜在介质膜上的粘附性，防止其脱落；本发明通过背面干法刻蚀工艺，实现背腔，可以有效防止湿法腐蚀中腐蚀液对正面图形结构的腐蚀作用。 | ||
| 搜索关键词： | 背腔 空气质量流量计 热敏电阻薄膜 芯片制造 保护层 光刻 焊盘 去除 等离子体 等离子体清洗 干法刻蚀工艺 法制备金属 复合介质膜 表面生长 残余杂质 干法刻蚀 高温退火 硅片背面 硅片表面 晶片表面 去离子水 湿法腐蚀 芯片加工 芯片切割 正面图形 腐蚀液 介质膜 金属层 金属膜 粘附性 打胶 裂片 显影 冲洗 背面 剥离 腐蚀 金属 引入 | ||
【主权项】：
1.一种带有背腔结构的MEMS空气质量流量计芯片制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1)硅片表面形成复合介质膜；2)用剥离法制备金属热敏电阻薄膜图形；3)在金属热敏电阻薄膜表面生长保护层；4)进行高温退火；5)去除焊盘上的保护层，露出焊盘的金属层；6)硅片背面光刻并进行干法刻蚀，形成背腔结构；7)芯片切割裂片，完成芯片加工。
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