[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种半导体装置，该半导体装置能够确保体二极管的可靠性，能够确保器件动作的稳定性。具有：有源区域，其设置于第1导电型的半导体层，在有源区域形成有在半导体层的厚度方向流过主电流的MOS晶体管；以及终端区域，其设置于有源区域的周围，终端区域具有沿有源区域而设置的缺陷检测器件，缺陷检测器件由具有第1主电极和第2主电极的二极管构成，该第1主电极是在半导体层的第1主面之上沿有源区域而设置的，该第2主电极设置于半导体层的第2主面侧。

主权项

1.一种半导体装置，其具有：有源区域，其设置于第1导电型的半导体层，在该有源区域形成有在所述半导体层的厚度方向流过主电流的MOS晶体管；以及终端区域，其设置于所述有源区域的周围，所述终端区域具有沿所述有源区域而设置的缺陷检测器件，所述缺陷检测器件由具有第1主电极和第2主电极的二极管构成，该第1主电极是在所述半导体层的第1主面之上沿所述有源区域而设置的，该第2主电极设置于所述半导体层的第2主面侧。