[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

有源区域，其设置于第1导电型的半导体层，在该有源区域形成有在所述半导体层的厚度方向流过主电流的MOS晶体管；以及

终端区域，其设置于所述有源区域的周围，

所述终端区域具有沿所述有源区域而设置的缺陷检测器件，

所述缺陷检测器件由具有第1主电极和第2主电极的二极管构成，

该第1主电极是在所述半导体层的第1主面之上沿所述有源区域而设置的，

该第2主电极设置于所述半导体层的第2主面侧，

所述二极管是所述第1主电极与所述半导体层进行肖特基接触的肖特基势垒二极管。

2.一种半导体装置，其具有：

有源区域，其设置于第1导电型的半导体层，在该有源区域形成有在所述半导体层的厚度方向流过主电流的MOS晶体管；以及

终端区域，其设置于所述有源区域的周围，

所述终端区域具有沿所述有源区域而设置的缺陷检测器件，

所述缺陷检测器件由具有第1主电极和第2主电极的二极管构成，

该第1主电极是在所述半导体层的第1主面之上沿所述有源区域而设置的，

该第2主电极设置于所述半导体层的第2主面侧，

所述二极管具有：

PN二极管区域或PiN二极管区域，其具有以与所述第1主电极接触的方式在所述半导体层的上层部选择性地设置的第2导电型的杂质区域；以及

所述第1主电极与所述半导体层进行肖特基接触的肖特基势垒二极管区域。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述二极管具有与所述第1主电极的一部分连接的电极焊盘，

所述电极焊盘与所述有源区域电分离。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述有源区域在俯视观察时呈角部成为曲率部的四边形状，

所述第1主电极在与所述有源区域的曲率部对应的部分具有曲率部，

所述电极焊盘配置于所述有源区域的曲率部与所述第1主电极的曲率部之间。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

还具有绝缘膜，该绝缘膜是以至少将所述终端区域覆盖的方式设置的，

所述绝缘膜具有设置于所述电极焊盘的至少一部分上部，到达至所述电极焊盘的开口部。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

所述电极焊盘配置为从所述第1主电极的外缘到达至所述半导体层的外缘。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述二极管构成为，所述第1主电极的底面侧插入至在所述半导体层的所述第1主面设置的凹槽部。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述半导体层是碳化硅半导体层。