[发明专利]具凸块结构的半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810292068.X | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110010576A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李俊德;刘明昇 | 申请（专利权）人： | 颀邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具凸块结构的半导体装置的制造方法，于形成该具凸块结构的半导体装置后另对该具凸块结构的半导体装置的该凸块或该凸块下金属层进行额外蚀刻，使该具凸块结构的半导体装置的性能及外观能符合规范。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 凸块结构 蚀刻 凸块下金属层 凸块 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具凸块结构的半导体装置的制造方法，其特征在于，其包含：提供基板，该基板具有导接垫及保护层，该保护层的开口显露该导接垫；形成凸块下金属层于该基板上，该凸块下金属层覆盖该保护层及该开口显露的该导接垫；形成图案化光阻层于该凸块下金属层上，该图案化光阻层的开孔显露该凸块下金属层；于该图案化光阻层的该开孔中形成凸块，该凸块电性连接该凸块下金属层；剥离该图案化光阻层以显露该凸块的侧壁及未被该凸块罩盖的该凸块下金属层；以该凸块作为遮罩对该凸块下金属层进行蚀刻，以显露该保护层；以及对该凸块或该凸块下金属层进行额外蚀刻，以调整该凸块的尺寸、清除残留的金属或清除该凸块的脏污。
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