[发明专利]具凸块结构的半导体装置及其制造方法

说明书

一种具凸块结构的半导体装置的制造方法，于形成该具凸块结构的半导体装置后另对该具凸块结构的半导体装置的该凸块或该凸块下金属层进行额外蚀刻，使该具凸块结构的半导体装置的性能及外观能符合规范。

技术领域

本发明是关于一种半导体装置及其制造方法，特别是关于一种具凸块结构的半导体装置及其制作方法。

背景技术

凸块结构的制作为覆晶技术中的关键制程，其用以提供晶片与基板之间的电性连接，一般凸块结构是借由图案化光阻层、电镀及蚀刻制程形成于晶片上，使晶片能以反置的方式与基板进行连接，让以覆晶技术制成的半导体装置具有元件密度高、散热能力佳及低成本等优点，并可大幅地缩小集成电路的尺寸，因此覆晶技术成为了目前集成电路重要的封装制程之一，而如何提升凸块结构的制程良率则为覆晶技术的发展核心。

发明内容

本发明的主要目的在于对凸块或凸块下金属层进行额外的蚀刻，可进一步地清除正常蚀刻下未完全蚀刻的残留金属，以确保半导体装置的外观及性能可合乎规范。

本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明提供一种具凸块结构的半导体装置的制造方法包含：提供基板，该基板具有导接垫及保护层，该保护层的开口显露该导接垫；形成凸块下金属层于该基板上，该凸块下金属层覆盖该保护层及该开口显露的该导接垫；形成图案化光阻层于该凸块下金属层上，该图案化光阻层的开孔显露该凸块下金属层；于该图案化光阻层的该开孔中形成凸块，该凸块电性连接该凸块下金属层；剥离该图案化光阻层以显露该凸块的侧壁及未被该凸块罩盖的该凸块下金属层；以该凸块作为遮罩对该凸块下金属层进行蚀刻，以显露该保护层；以及对该凸块或该凸块下金属层进行额外蚀刻，以调整该凸块的尺寸、清除残留的金属或清除该凸块的脏污。

本发明解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

所述的具凸块结构的半导体装置的制造方法，其中该凸块下金属层具有第一金属层及第二金属层，该第一金属层位于该第二金属层及该基板之间。

所述的具凸块结构的半导体装置的制造方法，其中该额外蚀刻是对该凸块下金属层的该第一金属层、该第二金属层或该第一金属层及该第二金属层进行额外蚀刻。

所述的具凸块结构的半导体装置的制造方法，其中该第一金属层的材料为钛钨合金。

所述的具凸块结构的半导体装置的制造方法，其中该第二金属层经过该额外蚀刻后具有宽度，该宽度小于该凸块的宽度。

所述的具凸块结构的半导体装置的制造方法，其中该第二金属层的材料与该凸块的材料相同。

所述的具凸块结构的半导体装置的制造方法，其中该第二金属层及该凸块的材料为金。

所述的具凸块结构的半导体装置的制造方法，其中该第二金属层经过该额外蚀刻后具有宽度，该第二金属层的该宽度小于该第一金属层经过该蚀刻后的第一宽度，且该第二金属层的该宽度大于该第一金属层经过该额外蚀刻后的第二宽度。

所述的具凸块结构的半导体装置的制造方法，其中于额外蚀刻前另包含检查该凸块及该凸块下金属层的步骤，以判定是否有该凸块尺寸不符、该凸块脏污、该第一金属层残留或该第二金属层残留的问题，若判定为该凸块尺寸不符或该凸块脏污，则对该凸块进行额外蚀刻，若判定为该第一金属层残留，则对该第一金属层进行额外蚀刻，若判定为该第二金属层残留，则对该第一金属层及该第二金属层进行额外蚀刻。

一种以上述任一项的方法制造的具凸块结构的半导体装置。

本发明借由对该凸块或该凸块下金属层进行额外蚀刻，可有效的解决该具凸块结构的半导体装置可能的尺寸不符、金属残留及表面脏污的问题，让该具凸块结构的半导体装置的性能及外观可合乎规范，以提高该具凸块结构的半导体装置的生产良率。

附图说明