[发明专利]半导体器件及其封装方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其封装方法。封装方法包括：镀金属层过程：提供芯片和衬底，在芯片的其中一面镀上金属层，在衬底上与芯片预粘合的区域镀上金属层；预烧结过程：利用低温低压烧结工艺，将金属薄膜与芯片的金属层、衬底的金属层预烧结在一起；金属薄膜、芯片的金属层和衬底的金属层的金属为同一金属；烧结过程：利用高温高压烧结工艺，烧结由芯片、金属薄膜和衬底预烧结而成的整体；引线封装过程：将烧结完成的芯片、金属薄膜和衬底连接至引线框架上；模封切筋过程：进行模封，并对模封后的引线框架进行切筋，以得到半导体器件封装结构。

主权项

1.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括：/n镀金属层过程：提供芯片和衬底，在所述芯片的其中一面镀上金属层，在所述衬底上与所述芯片预粘合的区域镀上金属层；/n预烧结过程：利用低温低压烧结工艺，将金属薄膜与所述芯片的金属层、所述衬底的金属层预烧结在一起，使所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底联合成一个整体，所述金属薄膜、所述芯片的金属层和所述衬底的金属层由同一种金属材料形成；所述预烧结的烧结温度为100度～150度，烧结压力为3Mpa～5Mpa；/n烧结过程：利用高温高压烧结工艺，烧结由所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底预烧结而成的整体；所述烧结过程在上模具和下模具中进行，所述上模具和所述下模具对由所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底预烧结而成的整体进行施压和加热；所述上模具和所述下模具施加的压力大于15Mpa，加热的温度为200度～300度；/n引线封装过程：将烧结完成的所述芯片、所述金属薄膜和所述衬底连接至引线框架上；/n模封切筋过程：利用模封工艺对所述芯片、所述金属薄膜、所述衬底和所述引线框架进行模封，并对模封后的引线框架进行切筋，以得到半导体器件封装结构。/n