[发明专利]深紫外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810235147.7 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108538976A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 姚禹;郑远志;陈向东;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨泽;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种深紫外发光二极管及其制备方法，该深紫外发光二极管包括衬底；位于衬底表面的第一半导体层；位于第一半导体层表面的不同位置的有源层和第三半导体层；位于有源层表面的第二半导体层；位于第二半导体层表面的第二电流扩展层；位于第三半导体层表面的第一电流扩展层；位于第一电流扩展层表面且与第一电流扩展层电性连接的第一金属电极；位于第二电流扩展层表面且与第二电流扩展层电性连接的第二金属电极。本发明能够改善深紫外发光二极管内中金属‑半导体界面的欧姆接触，修复刻蚀造成的损伤，降低电压的同时提高发光效率，并且降低了金属材料制备和高温退火的难度，降低了该深紫外发光二极管的制备难度。 | ||
| 搜索关键词： | 电流扩展层 深紫外发光二极管 半导体层表面 半导体层 制备 电性连接 金属电极 源层 金属材料制备 衬底表面 发光效率 高温退火 降低电压 欧姆接触 衬底 刻蚀 半导体 损伤 金属 修复 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的第一半导体层；位于所述第一半导体层表面的不同位置的有源层和第三半导体层；位于所述有源层表面的第二半导体层；位于所述第二半导体层表面的第二电流扩展层；位于所述第三半导体层表面的第一电流扩展层；位于所述第一电流扩展层表面且与所述第一电流扩展层电性连接的第一金属电极；位于所述第二电流扩展层表面且与所述第二电流扩展层电性连接的第二金属电极；所述第三半导体层与所述第一金属电极的接触电阻小于所述第一半导体层与所述第一金属电极的接触电阻，且所述第一半导体层和所述第三半导体层均为P型半导体，或所述第一半导体层和所述第三半导体层均为N型半导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马鞍山杰生半导体有限公司，未经马鞍山杰生半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810235147.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LED用荧光薄膜的制备方法
- 下一篇：一种高质量GaN薄膜及其制备方法
