[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201811247729.3 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109935671B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 蔡佳珍;郭得山;李奇霖;卓亨颖;欧震;陈俊扬 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/22 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种发光元件,该发光元件包含:一第一半导体层;一第二半导体层,位于第一半导体层上;一第三半导体层,位于该第二半导体层上;一活性层,位于第二半导体层及第三半导体层之间;一暴露区,穿过第三半导体层及活性层,暴露出第一半导体层的一第一表面以及第二半导体层的一第二表面;以及一第一电极,位于暴露区中,且接触第一表面及第二表面;其中,第一半导体层与第二半导体层具有不同阻值。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件,其特征在于,包含:第一半导体层;第二半导体层,位于该第一半导体层上;第三半导体层,位于该第二半导体层上;活性层,位于该第二半导体层及该第三半导体层之间;暴露区,穿过该第三半导体层及该活性层,暴露出该第一半导体层的第一表面以及该第二半导体层的第二表面;以及第一电极,位于该暴露区中,且接触该第一表面及该第二表面;其中,该第一半导体层与该第二半导体层具有不同阻值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811247729.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。