[发明专利]半导体集成电路以及形成电源轨的方法有效
| 申请号： | 201810228911.8 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN108630656B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | R.森古普塔;A.P.胡佛;M.S.罗德尔;M.贝尔津什;S.托尔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体集成电路以及形成电源轨的方法。一种半导体集成电路包括衬底、一系列金属层和一系列绝缘层。金属层和绝缘层在衬底上交替地布置成堆叠。半导体集成电路还包括在衬底中的至少两个标准单元以及跨过所述至少两个标准单元的边界的至少一个电源轨。电源轨包括连续地延伸穿过所述堆叠的至少两个竖直层级的导电材料的竖直部分。所述堆叠的所述至少两个竖直层级包括一个金属层和一个绝缘层。该绝缘层在该金属层之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 以及 形成 电源 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，包括：衬底；多个金属层；多个绝缘层，其中所述多个金属层和所述多个绝缘层在所述衬底上交替地布置成堆叠；在所述衬底中的至少两个标准单元；以及跨过所述至少两个标准单元的边界的至少一个电源轨，所述至少一个电源轨包括连续地延伸穿过所述堆叠的至少两个竖直层级的导电材料的竖直部分，所述至少两个竖直层级包括所述多个金属层中的一个金属层和所述多个绝缘层中的一个绝缘层，其中所述一个绝缘层在所述一个金属层之下。
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