[发明专利]半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板有效

专利信息
申请号: 201810224113.8 申请日: 2018-03-19
公开(公告)号: CN108630652B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 高萩智;舟野祥;门口卓矢;花木裕治;岩崎真悟;川岛崇功 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L23/495;H01L25/18;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 张建涛;车文
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置、用于半导体装置的制造方法以及电极板。半导体装置包含电极板、金属构件以及将金属构件与电极板连接的焊料。在电极板的表面上,设置了第一沟槽和第二沟槽组。第一沟槽具有第一直线部分到第四直线部分。该第二沟槽组布置在由第一沟槽包围的范围内,并且具有在与第一沟槽连接的外周侧上的端部。该第二沟槽组包含第一集合到第四集合。所述集合中的每一个包含与第一直线部分到第四直线部分连接的多个第二沟槽。当在电极板和金属构件的层压方向上看金属构件时,金属构件的与焊料连接的区域的外周边缘横穿第一集合到第四集合。
搜索关键词: 半导体 装置 用于 制造 方法 以及 极板
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于包括:电极板,在所述电极板的表面上,设置了具有环状的第一沟槽和第二沟槽组,所述第一沟槽具有沿着矩形的各边延伸的第一直线部分、第二直线部分、第三直线部分和第四直线部分,所述第二沟槽组被布置在由所述第一沟槽包围的范围内,并且具有与所述第一沟槽连接的外周侧上的端部,所述第二沟槽组包含多个第二沟槽,并且所述第二沟槽组包含具有与所述第一直线部分连接的所述多个第二沟槽的第一集合、具有与所述第二直线部分连接的所述多个第二沟槽的第二集合、具有与所述第三直线部分连接的所述多个第二沟槽的第三集合以及具有与所述第四直线部分连接的所述多个第二沟槽的第四集合;金属构件;以及焊料,所述焊料连接所述范围内的所述电极板的表面和所述金属构件的表面,所述金属构件的表面面对所述电极板的表面,其中当在所述电极板和所述金属构件的层压方向上看所述金属构件时,所述金属构件的区域的外周边缘被布置成横穿所述第一集合、所述第二集合、所述第三集合和所述第四集合,所述区域与所述焊料连接。
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