[发明专利]防静电金属氧化物半导体场效应管结构有效
| 申请号： | 201810204910.X | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110277384B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 孙俊 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种防静电金属氧化物半导体场效应管结构，包括防静电主体结构和从金属氧化物半导体场效应管，所述防静电主体结构包括：主金属氧化物半导体场效应管；第一可控硅，所述第一可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第一可控硅的阴极和控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极；第二可控硅，所述第二可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第二可控硅的阴极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述第二可控硅的控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极或栅极。本发明可以避免ESD应力到来时漏端与栅端的耦合电压将栅氧击穿，因此可以获得更高的ESD防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 金属 氧化物 半导体 场效应 结构 | ||
【主权项】：
1.一种防静电金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，包括防静电主体结构和从金属氧化物半导体场效应管，所述防静电主体结构包括：主金属氧化物半导体场效应管；第一可控硅，所述第一可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第一可控硅的阴极和控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极；第二可控硅，所述第二可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第二可控硅的阴极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述第二可控硅的控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极或栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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