[发明专利]防静电金属氧化物半导体场效应管结构

权利要求书

1.一种防静电金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，包括防静电主体结构和从金属氧化物半导体场效应管，所述防静电主体结构包括：

主金属氧化物半导体场效应管；

第一可控硅，所述第一可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第一可控硅的阴极和控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极；

第二可控硅，所述第二可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第二可控硅的阴极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述第二可控硅的控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极或栅极；

所述从金属氧化物半导体场效应管的栅极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述从金属氧化物半导体场效应管的源极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极，所述从金属氧化物半导体场效应管的漏极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极。

2.根据权利要求1所述的防静电金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述主金属氧化物半导体场效应管和从金属氧化物半导体场效应管是LDMOSFET。

3.根据权利要求1所述的防静电金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述第一可控硅和第二可控硅是SCR-LDMOSFET。

4.根据权利要求1所述的防静电金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，包括衬底上的：第一阱区、第二阱区、第一掺杂区及第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第一阱区和第二阱区之间，所述第二阱区位于所述第一掺杂区和第二掺杂区之间，所述第一掺杂区和第二掺杂区具有第一导电类型，所述第一阱区和第二阱区具有第二导电类型，所述第一导电类型为与所述第二导电类型相反的导电类型；所述第一阱区、第二阱区及第二掺杂区内设有第一引出区，所述第一掺杂区和第二阱区内设有第二引出区，所述第一引出区具有第一导电类型，所述第二引出区具有第二导电类型，所述第二阱区设有两个第一引出区、所述第二阱区内的第二引出区位于这两个第一引出区之间；所述第一阱区和第一掺杂区的交界处、所述第一掺杂区和第二阱区的交界处、所述第二阱区和第二掺杂区的交界处均形成有多晶硅栅极；

所述第一阱区内的第一引出区、所述第一阱区、所述第一掺杂区及所述第一掺杂区内的第二引出区作为所述第二可控硅，所述第一掺杂区内的第二引出区作为所述第二可控硅的阳极，所述第一阱区内的第一引出区作为所述第二可控硅的阴极，所述第一阱区和第一掺杂区的交界处的多晶硅栅极作为所述第二可控硅的控制极；所述第一掺杂区内的第二引出区、所述第一掺杂区、所述第二阱区及所述第二阱区内靠近所述第一掺杂区的第一引出区作为所述第一可控硅，所述第一掺杂区内的第二引出区作为所述第一可控硅的阳极，所述第二阱区内靠近所述第一掺杂区的第一引出区作为所述第一可控硅的阴极，所述第二阱区和第一掺杂区的交界处的多晶硅栅极作为所述第一可控硅的控制极；所述第二阱区内靠近所述第二掺杂区的第一引出区作为所述主金属氧化物半导体场效应管的源极，所述第二掺杂区内的第一引出区作为所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第二阱区和第二掺杂区交界处的多晶硅栅极作为所述主金属氧化物半导体场效应管的栅极。

5.根据权利要求4所述的防静电金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述第一阱区内的第一引出区通过第一金属导线电性连接所述第二阱区和第二掺杂区交界处的多晶硅栅极；所述第一掺杂区与所述第一阱区交界处的多晶硅栅极、所述第一掺杂区与所述第二阱区交界处的多晶硅栅极、所述第二阱区内的第二引出区和两个第一引出区通过第二金属导线电性连接；所述第一掺杂区内的第二引出区和所述第二掺杂区内的第一引出区通过第三金属导线电性连接。

6.根据权利要求4或5所述的防静电金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，包括两个所述防静电主体结构，且所述两个防静电主体结构关于所述防静电金属氧化物半导体场效应管结构的一条中线对称。

7.根据权利要求4或5所述的防静电金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述第一阱区在远离所述第一掺杂区的一侧还设有第二引出区。