[发明专利]防静电金属氧化物半导体场效应管结构

说明书

本发明涉及一种防静电金属氧化物半导体场效应管结构，包括防静电主体结构和从金属氧化物半导体场效应管，所述防静电主体结构包括：主金属氧化物半导体场效应管；第一可控硅，所述第一可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第一可控硅的阴极和控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极；第二可控硅，所述第二可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第二可控硅的阴极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述第二可控硅的控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极或栅极。本发明可以避免ESD应力到来时漏端与栅端的耦合电压将栅氧击穿，因此可以获得更高的ESD防护能力。

技术领域

本发明涉及防静电的保护装置，特别是涉及一种防静电金属氧化物半导体场效应管结构。

背景技术

静电放电是在我们生活中普遍存在的自然现象，但静电放电时在短时间内产生的大电流，会对集成电路产生致命的损伤，是集成电路生产应用中造成失效的重要问题。

传统的静电释放(ESD)防护结构，主要是把ESD特性加以考虑而忽略了器件本身的特性。

发明内容

基于此，有必要提供一种新型的防静电金属氧化物半导体场效应管结构。

一种防静电金属氧化物半导体场效应管结构，包括防静电主体结构和从金属氧化物半导体场效应管，所述防静电主体结构包括：主金属氧化物半导体场效应管；第一可控硅，所述第一可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第一可控硅的阴极和控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极；第二可控硅，所述第二可控硅的阳极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第二可控硅的阴极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述第二可控硅的控制极连接所述主金属氧化物半导体场效应管的源极或栅极。

在其中一个实施例中，所述主金属氧化物半导体场效应管和从金属氧化物半导体场效应管是LDMOSFET。

在其中一个实施例中，所述第一可控硅和第二可控硅是SCR-LDMOSFET。

在其中一个实施例中，包括衬底上的：第一阱区、第二阱区、第一掺杂区及第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第一阱区和第二阱区之间，所述第二阱区位于所述第一掺杂区和第二掺杂区之间，所述第一掺杂区和第二掺杂区具有第一导电类型，所述第一阱区和第二阱区具有第二导电类型，所述第一导电类型为与所述第二导电类型相反的导电类型；所述第一阱区、第二阱区及第二掺杂区内设有第一引出区，所述第一掺杂区和第二阱区内设有第二引出区，所述第一引出区具有第一导电类型，所述第二引出区具有第二导电类型，所述第二阱区设有两个第一引出区、所述第二阱区内的第二引出区位于这两个第一引出区之间；所述第一阱区和第一掺杂区的交界处、所述第一掺杂区和第二阱区的交界处、所述第二阱区和第二掺杂区的交界处均形成有多晶硅栅极；所述第一阱区内的第一引出区、所述第一阱区、所述第一掺杂区及所述第一掺杂区内的第二引出区作为所述第二可控硅，所述第一掺杂区内的第二引出区作为所述第二可控硅的阳极，所述第一阱区内的第一引出区作为所述第二可控硅的阴极，所述第一阱区和第一掺杂区的交界处的多晶硅栅极作为所述第二可控硅的控制极；所述第一掺杂区内的第二引出区、所述第一掺杂区、所述第二阱区及所述第二阱区内靠近所述第一掺杂区的第一引出区作为所述第一可控硅，所述第一掺杂区内的第二引出区作为所述第一可控硅的阳极，所述第二阱区内靠近所述第一掺杂区的第一引出区作为所述第一可控硅的阴极，所述第二阱区和第一掺杂区的交界处的多晶硅栅极作为所述第一可控硅的控制极；所述第二阱区内靠近所述第二掺杂区的第一引出区作为所述主金属氧化物半导体场效应管的源极，所述第二掺杂区内的第一引出区作为所述主金属氧化物半导体场效应管的漏极，所述第二阱区和第二掺杂区交界处的多晶硅栅极作为所述主金属氧化物半导体场效应管的栅极。