[发明专利]一种对侧级联半导体芯片装置及级联方法有效
申请号: | 201810201679.9 | 申请日: | 2018-03-12 |
公开(公告)号: | CN108376677B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 陈一峰 | 申请(专利权)人: | 成都海威华芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538;H01L21/60 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰;张巨箭 |
地址: | 610029 四川省成都市双流区中国(四川)自*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种对侧级联半导体芯片装置及级联方法,装置包括:绝缘基板,所述的绝缘基板上具有第一通孔;分别组装于绝缘基板两侧的第一半导体芯片和第二半导体芯片;其中,第一半导体芯片具有第二通孔,第二半导体芯片具有第三通孔,在组装完成后第一通孔、第二通孔和第三通孔形成一个完整的通孔;所述的第一通孔、第二通孔和第三通孔均具有金属化侧壁;填充至所述完整的通孔并烧结成型的导电填充剂。本发明采用半导体工艺,通过金属化侧壁加工以及对应位置组装,在通孔中实现导电填充剂填充,使得在同一个基板的两侧实现两款芯片的级联,有效的节省了封装空间,同时有效的避免bond线引入的风险。 | ||
搜索关键词: | 一种 级联 半导体 芯片 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种对侧级联半导体芯片装置,其特征在于:包括:绝缘基板,所述的绝缘基板上具有第一通孔;分别组装于绝缘基板两侧的第一半导体芯片和第二半导体芯片;其中,第一半导体芯片具有第二通孔,第二半导体芯片具有第三通孔,在组装完成后第一通孔、第二通孔和第三通孔形成一个完整的通孔;所述的第一通孔、第二通孔和第三通孔均具有金属化侧壁;填充至所述完整的通孔并烧结成型的导电填充剂。
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