[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810181210.3 | 申请日： | 2018-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108470740A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 穆钰平;黄晓橹;周艮梅 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，其中图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管及深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构位于所述光电二极管之间；在所述半导体衬底表面形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述光电二极管和所述深沟槽隔离结构；在所述层间介质层上形成无定型碳层；刻蚀所述无定型碳层至露出所述层间介质层表面，形成凹槽；在所述无定型碳层表面、凹槽侧壁及底部形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成金属层；刻蚀所述金属层和所述绝缘层至露出所述层间介质层表面，形成分立排列的金属栅格；去除所述无定型碳层。所形成的金属栅格的关键尺寸在足够小时，不会发生坍塌情况。 | ||
| 搜索关键词： | 层间介质层 无定型碳层 深沟槽隔离结构 光电二极管 图像传感器 绝缘层 金属栅格 金属层 衬底 分立 刻蚀 半导体 半导体衬底表面 绝缘层表面 凹槽侧壁 介质层 去除 坍塌 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管及深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构位于所述光电二极管之间；在所述半导体衬底表面形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述光电二极管和所述深沟槽隔离结构；在所述层间介质层上形成无定型碳层；刻蚀所述无定型碳层至露出所述层间介质层表面，形成凹槽；在所述无定型碳层表面、凹槽侧壁及底部形成绝缘层；在所述绝缘层表面形成金属层；刻蚀所述金属层和所述绝缘层至露出所述层间介质层表面，形成分立排列的金属栅格；去除所述无定型碳层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
