[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成分立的光电二极管及深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构位于所述光电二极管之间；

在所述半导体衬底表面形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述光电二极管和所述深沟槽隔离结构；

在所述层间介质层上形成无定型碳层；

刻蚀所述无定型碳层至露出所述层间介质层表面，形成凹槽；

在所述无定型碳层表面、凹槽侧壁及底部形成绝缘层；

在所述绝缘层表面形成金属层；

刻蚀所述金属层和所述绝缘层至露出所述层间介质层表面，形成分立排列的金属栅格；

去除所述无定型碳层。

2.如权利要求1所述图像传感器的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为钨或铝，形成所述金属层的工艺为化学气相沉积法或物理气相沉积法。

3.如权利要求1所述图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层的工艺为化学气相沉积法。

4.如权利要求3所述图像传感器的形成方法，其特征在于，所述层间介质层为单层结构或叠层结构；当所述层间介质层为单层结构时，材料为氧化硅或氮化硅；当所述层间介质层为叠层结构时，包括位于所述半导体衬底表面的氧化硅层，位于所述氧化硅层表面的氮化硅层。

5.如权利要求1所述图像传感器的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料是底部抗反射层材料或氮氧化硅，形成所述绝缘层的工艺是化学气相沉积法。

6.如权利要求1所述图像传感器的形成方法，其特征在于，去除所述无定型碳层的方法为灰化工艺。

7.如权利要求1所述图像传感器的形成方法，其特征在于，去除所述无定型碳层之后，还包括：在所述层间介质层上形成钝化层，且所述钝化层覆盖所述金属栅格和所述绝缘层。

8.如权利要求1所述图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述绝缘层表面形成金属层之后，刻蚀所述金属层和所述绝缘层之前，还包括：在所述金属层表面形成保护层。

9.如权利要求8所述图像传感器的形成方法，其特征在于，刻蚀所述金属层和所述绝缘层同时刻蚀所述保护层。

10.一种如权利要求1～9任一项所述的方法形成的图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

光电二极管，位于所述半导体衬底内，且所述光电二极管分立排列；

深沟槽隔离结构，位于所述半导体衬底内，且位于所述光电二极管之间；

层间介质层，位于所述半导体衬底表面，且所述层间介质层覆盖所述光电二极管和所述深沟槽隔离结构；

金属栅格，分立排列于所述层间介质层上；

绝缘层，位于所述层间介质层表面，且位于所述金属栅格的底部及其中一侧壁上。