[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201810172393.2 申请日: 2018-03-01
公开(公告)号: CN108735692B 公开(公告)日: 2023-08-29
发明(设计)人: 山内浩平;乡原广道;加藤辽一;池田良成;谷口克己 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/473;H01L23/28
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种冷却性能高且能够提高对于损坏、故障的可靠性的半导体装置。具备:由陶瓷形成的具有第一主面及第二主面以及彼此相向的2个侧面的冷却器(10)、与第一主面接合的多个导电性图案层(41、42、43)、隔着导电性图案层(41、42、43)的至少一部分搭载于第一主面的半导体元件(20)、以及由树脂和填料形成的对半导体元件(20)和导电性图案层(41、42、43)进行密封的密封构件(30)。密封构件(30)至少覆盖第一主面和2个侧面。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:冷却器,其由陶瓷形成,具有彼此相向的第一主面及第二主面以及彼此相向的2个侧面;多个导电性图案层,所述多个导电性图案层与所述第一主面接合;半导体元件,其隔着所述导电性图案层的至少一部分搭载于所述第一主面;以及密封构件,其由树脂和填料形成,对所述半导体元件和所述导电性图案层进行密封,其中,所述密封构件至少覆盖所述第一主面和所述2个侧面。
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