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[发明专利]电力用半导体装置-CN201811140123.X有效
发明人： 谷口克己;堀元人 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供一种小型且低电感、且能够降低因半导体元件的发热引起的控制电阻的电阻值的变动的电力用半导体装置。该电力用半导体装置具备：第一导电性图案层(11_1)；半导体元件(Q1～Q6)，与第一导电性图案层(11_1)的上表面分别接合；第二导电性图案层(11_2a)，其与第一导电性图案层(11_1)相分离；控制端子(53)，其与第二导电性图案层(11_2a)接合；控制电阻(20)，其与第二导电性图案层(11_2a)的上表面接合；控制电阻引脚(21)，其与控制电阻(20)的上表面接合；以及布线基板(4)，其具有将半导体元件(Q1～Q6)与控制电阻引脚(21)之间电连接的控制布线图案层(41)。
电力半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810172393.2有效
发明人：山内浩平;乡原广道;加藤辽一;池田良成;谷口克己 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：提供一种冷却性能高且能够提高对于损坏、故障的可靠性的半导体装置。具备：由陶瓷形成的具有第一主面及第二主面以及彼此相向的2个侧面的冷却器(10)、与第一主面接合的多个导电性图案层(41、42、43)、隔着导电性图案层(41、42、43)的至少一部分搭载于第一主面的半导体元件(20)、以及由树脂和填料形成的对半导体元件(20)和导电性图案层(41、42、43)进行密封的密封构件(30)。密封构件(30)至少覆盖第一主面和2个侧面。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202211333594.9在审
发明人：村田悠马;谷口克己;加藤辽一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，在将正极端子与负极端子隔着绝缘片层叠的层压布线构造中能够确保正极端子与负极端子之间的爬电距离，从而能够提高绝缘性能。半导体装置具备：绝缘片，具有第一主表面和第二主表面；板状的第一端子，其与绝缘片的第一主表面相向地设置，该第一端子具有突出到绝缘片的第一主表面的外侧的第一突出部；以及板状的第二端子，其与绝缘片的第二主表面相向地设置，该第二端子具有与第一突出部并排地突出到绝缘片的第二主表面的外侧的第二突出部，在第一突出部的与绝缘片的端部相交的位置，设置有使与第二突出部相向的侧面向远离第二突出部的方向凹陷而成的第一凹部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202211175188.4在审
发明人：中込旭人;谷口克己;加藤辽一;村田悠马 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，其实现可靠性高的半导体装置。半导体模块(10)(半导体装置)包括壳体(11)、层叠体(16)以及梁部(17)。壳体为框状，在其一边具有凹部(11a)。层叠体具有依次层叠有端子(13)、绝缘片(14)以及端子(15)的结构，并配置于壳体的凹部。梁部(17)固着于壳体的凹部，将配置于该凹部的层叠体固定。壳体、层叠体以及梁部(17)分别分开准备、并组装。由此，避免如将层叠体嵌件成型的情况那样绝缘片(14)与在成型时成为较高温度的壳体树脂材料接触，抑制绝缘片(14)的劣化、以及由此引起的端子(13)与端子(15)之间的绝缘不良，并提高半导体模块的可靠性。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202211062043.3在审
发明人： 谷口克己;池田良成;加藤辽一;村田悠马;中込旭人 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种能够可靠性高地降低开关损耗的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：绝缘电路基板(1)；功率半导体元件，其搭载在绝缘电路基板(1)上；平板状的第一端子(81)，其与功率半导体元件电连接，所述第一端子(81)具有第一主表面；第二端子(82)，其与功率半导体元件电连接，所述第二端子(82)具有与第一端子(81)的第一主表面相向的第二主表面；绝缘片(83)，其配置在第一主表面与第二主表面之间；以及导电膜(84、85)，其配置在绝缘片(83)的第一主表面侧和第二主表面侧中的至少一方。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201710096125.2有效
发明人：浅井龙彦;谷口克己 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能够缓和由热膨胀率之差导致的集中于树脂壳体内表面的角部附近的应力，满足层叠基板与树脂壳体之间的绝缘性。上述半导体装置具有将树脂壳体(6)与层叠组件组合而成的构成，上述层叠组件具有：半导体元件(1)；搭载有上述半导体元件(1)的层叠基板(3)；以及搭载有上述层叠基板(3)的金属基板(4)。在树脂壳体(6)中，在角部设有切槽(6a)。切槽(6a)的宽度和长度中的至少一个为2mm以上。
半导体装置制造方法

[发明专利]绝缘母线及制造方法-CN201610532361.X在审
发明人：早濑悠二;谷口克己 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明提供兼顾低电感和高耐压的绝缘母线。提供一种与载置半导体芯片的模块连接的绝缘母线，具备：多个电路导体；将各电路导体与模块电连接的多个连接端子；在各电路导体之间和各连接端子的周围的至少一部分一体形成，且在电路导体之间不具有间隙的绝缘性的树脂部。
绝缘母线制造方法

[发明专利]半导体模块-CN201610505752.2在审
发明人：稻叶哲也;池田良成;谷口克己;君岛大辅 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明的半导体模块抑制由宽带隙半导体构成的开关元件的劣化。半导体模块(100)中，将第2半导体芯片(420)(二极管)配置得比第1半导体芯片(410)(MOSFET)更靠层叠基板(310)侧。由此，在使第1半导体芯片(410)(MOSFET)的栅极电极的控制信号截止时，从源极端子(320)向漏极板(200)施加电压时的电流主要通电至第2半导体芯片(420)(二极管)。
半导体模块

[发明专利]用于热辅助记录方式的磁记录介质及其制造方法-CN201380051757.7在审
发明人：佐藤成实;熊谷明恭;片野智纪;谷口克己 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G11B5/72 文献下载
摘要：本发明的用于热辅助记录方式的磁记录介质具有在非磁性基板上的磁记录层和在所述磁记录层的上部的保护层。所述保护层包含：所述磁记录层的上部的第一下部保护层、所述第一下部保护层上的第一上部保护层、以及所述第一上部保护层上的第二保护层，所述第一下部保护层以从由Si、Al、Cu构成的组中选择的元素作为主要成分，所述第一上部保护层是由所述第一下部保护层的材料的氧化物构成的层。
用于辅助记录方式介质及其制造方法

[发明专利]磁记录介质的制造方法-CN201380014327.8有效
发明人：佐藤成实;熊谷明恭;片野智纪;谷口克己;小野博美 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：本发明涉及磁记录介质的制造方法，提供一种能够得到兼具良好的耐腐蚀性和润滑剂的附着性的保护层的制造方法。在制造以下磁记录介质的制造方法中，该磁记录介质在基板上具备磁性层、保护层下层、保护层上层以及润滑层，且保护层下层与保护层上层的合计膜厚在2.5nm以下，该制造方法的特征在于，依次包括如下工序：1)保护层下层的成膜工序；2)对保护层下层进行氧等离子体处理的工序；3)保护层上层的成膜工序；4)对保护层上层进行氮等离子体处理的工序。保护层下层和保护层上层优选由碳类材料形成，更优选由类金刚石碳形成。保护层下层在大气中与水的接触角优选为25度以下。
记录介质制造方法

[发明专利]图案化介质型磁记录介质的制造方法-CN200910000287.7无效
发明人： 谷口克己 -专利权人：富士电机电子技术株式会社
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G11B5/855 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种在形成中间层的凹凸图案时的干式蚀刻工艺中，能够以高精度仅对必要部位进行加工的图案化介质型磁记录介质的制造方法。其包括在基板上依次形成软磁层、蚀刻阻挡层、种子层、中间层、硬掩模层和抗蚀剂的工序；将上述抗蚀剂图案化，得到抗蚀剂图案的工序；将上述抗蚀剂图案作为掩模，对硬掩模层进行蚀刻，得到图案状硬掩模层的工序；剥离上述抗蚀剂图案的工序；将上述图案状硬掩模层作为掩模，对上述中间层进行蚀刻，得到图案状中间层的工序；剥离上述图案状硬掩模层的工序；和形成磁记录层的工序，该工序在上述图案状中间层上形成垂直取向部，并在上述种子层上形成无规取向部。
图案介质记录制造方法

[其他]长型材及其制造方法和装置-CN85101130无效
发明人：上野惠尉;谷口克己;上田雅信;浅井清晖;星野和志 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1987-10-07 - 主分类号： B21B1/08 文献下载
摘要：长型材及其制造方法和制造装置的特征在于包括将金属板材的板厚从宽度方向的一侧向另一侧割裂的割裂装置，和使该割裂装置与金属板材沿竖直方向作相对移动的移动装置，以及把金属板材的割裂端纵贯全长形成对称形状的成型装置，利用这些装置把金属板材从一端的竖直边缘向另一竖直边缘，使板厚二等分而形成凸缘部和具有带状钢板原板厚的引导部构成，长型材的横截面呈倒T字形。
长型材及其制造方法装置

[其他]长型材及其制造方法-CN101985000001130在审
发明人：上野惠尉;谷口克己;上田雅信;浅井清晖;星野和志 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1987-10-07 - 主分类号：文献下载
摘要：长型材及其制造方法和制造装置的特征在于：包括将金属板材的板厚从宽度方向的一侧向另一侧割裂的割裂装置，和使该割裂装置与金属板材沿竖直方向作相对移动的移动装置，以及把金属板材的割裂端纵贯全长形成对称形状的成型装置，利用这些装置把金属板材从一端的竖直边缘向另一竖直边缘，使板厚二等分而形成凸缘部和具有带状钢板原板厚的引导部构成，长型材的横截面呈倒Ｔ字形。
长型材及其制造方法

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