[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810170456.0 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109786459A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 奥村秀树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供低成本且通态电阻小的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1导电型的漏极区域；第1导电型的第1半导体区域，设置于上述漏极区域之上；MOSFET，形成于上述第1半导体区域的上部；源极电极，形成为覆盖上述MOSFET；电连接部，是形成于上述第1半导体区域的两侧的一对电连接部，以与上述第1半导体区域电绝缘的状态将上述漏极区域与上述源极电极之间电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体区域 半导体装置 漏极区域 电连接部 源极电极 导电型 通态电阻 低成本 电绝缘 电连接 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：第1导电型的漏极区域；第1导电型的第1半导体区域，设置于上述漏极区域之上；MOSFET，形成于上述第1半导体区域的上部；源极电极，形成为覆盖上述MOSFET；以及电连接部，是形成于上述第1半导体区域的两侧的一对电连接部，以与上述第1半导体区域电绝缘的状态将上述漏极区域与上述源极电极之间电连接。
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