[发明专利]半导体封装结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810163669.0 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109216214B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 谭瑞敏;王金胜;曾子章;黄重旗;唐伟森;范智朋 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司;旭德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装结构及其制作方法，半导体封装结构包括基底、至少一电子元件、封装胶体以及重布线路层。基底包括导热绝缘层、图案化线路层以及金属层。导热绝缘层具有彼此相对的第一表面以及第二表面。图案化线路层配置于导热绝缘层上且暴露出导热绝缘层的部分第一表面。金属层配置于导热绝缘层上且完全覆盖导热绝缘层的第二表面。电子元件配置于基底上且与图案化线路层电连接。封装胶体至少包覆电子元件。重布线路层配置于封装胶体上且与电子元件电连接，其中封装胶体的边缘约略切齐于基底的边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基底，包括：导热绝缘层，具有彼此相对的第一表面以及第二表面；图案化线路层，配置于所述导热绝缘层上且暴露出所述导热绝缘层的部分所述第一表面；以及金属层，配置于所述导热绝缘层上且完全覆盖所述导热绝缘层的所述第二表面；至少一电子元件，配置于所述基底上且与所述图案化线路层电连接；封装胶体，至少包覆所述至少一电子元件；以及重布线路层，配置于所述封装胶体上且与所述至少一电子元件电连接，其中所述封装胶体的边缘约略切齐于所述基底的边缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
