[发明专利]半导体封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

基底，包括：

导热绝缘层，具有彼此相对的第一表面以及第二表面；

图案化线路层，配置于所述导热绝缘层上且暴露出所述导热绝缘层的部分所述第一表面；以及

金属层，配置于所述导热绝缘层上且完全覆盖所述导热绝缘层的所述第二表面，其中所述导热绝缘层的正投影与所述金属层的正投影完全重叠；

至少一电子元件，配置于所述基底上且与所述图案化线路层电连接；

封装胶体，至少包覆所述至少一电子元件；以及

重布线路层，配置于所述封装胶体上且与所述至少一电子元件电连接，其中所述封装胶体的边缘约略切齐于所述基底的边缘。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，还包括：

至少一导电通孔，贯穿所述封装胶体，其中所述重布线路层通过所述至少一导电通孔而与所述基底的所述图案化线路层电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，还包括：

黏着层，配置于所述基底上，其中所述至少一电子元件通过所述黏着层而固定于所述基底上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，还包括：

第一防焊层，配置于所述基底的所述金属层上，其中所述第一防焊层具有至少一第一开口，所述至少一第一开口暴露出部分所述金属层，而定义出至少一第一接垫；以及

第二防焊层，配置于所述封装胶体上且覆盖所述重布线路层，其中所述第二防焊层具有至少一第二开口，所述至少一第二开口暴露出部分所述重布线路层，而定义出至少一第二接垫。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，还包括：

第三防焊层，配置于所述基底的所述导热绝缘层上，且位于所述封装胶体与所述导热绝缘层之间，所述第三防焊层覆盖所述图案化线路层，其中所述第三防焊层具有至少一第三开口，所述至少一第三开口暴露出部分所述图案化线路层，而定义出至少一第三接垫，而所述至少一电子元件位于所述至少一第三接垫上。

6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，还包括：

至少一散热元件，配置于所述第一接垫上。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述至少一电子元件包括多个电子元件，所述多个电子元件彼此串联、并联、电性独立或上述的组合。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述至少一电子元件包括主动元件与被动元件。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述重布线路层包括：

重布线路，配置于所述封装胶体上；以及

多个导电盲孔，位于所述封装胶体内且连接所述至少一电子元件以及所述重布线路。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导热绝缘层的导热系数介于1W/(mK)至100W/(mK)之间。

11.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括：

导热绝缘层，具有彼此相对的第一表面以及第二表面；

图案化线路层，配置于所述导热绝缘层上且暴露出所述导热绝缘层的部分所述第一表面；

金属层，配置于所述导热绝缘层上且完全覆盖所述导热绝缘层的所述第二表面，其中所述导热绝缘层的正投影与所述金属层的正投影完全重叠；

配置至少一电子元件于所述基底上，其中所述至少一电子元件与所述图案化线路层电连接；

形成封装胶体以至少包覆所述至少一电子元件；以及

形成重布线路层于所述封装胶体上，其中所述重布线路层与所述至少一电子元件电连接，且所述封装胶体的边缘约略切齐于所述基底的边缘。