[发明专利]半导体存储装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201810151736.7 | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109243510B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈;曹秉奎 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C7/12;G11C8/14;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储装置及其操作方法。公开了一种半导体存储装置及其操作方法。该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括共用一条或更多条漏极选择线的多个存储块；外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行编程操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路来对所述多个存储块中的每一个中所包括的一个或更多个漏极选择晶体管进行编码编程。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括共用一条或更多条漏极选择线的多个存储块；外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行编程操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路来对所述多个存储块中的每一个中所包括的一个或更多个漏极选择晶体管进行编码编程。
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