[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

说明书

半导体存储装置及其操作方法。公开了一种半导体存储装置及其操作方法。该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括共用一条或更多条漏极选择线的多个存储块；外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行编程操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路来对所述多个存储块中的每一个中所包括的一个或更多个漏极选择晶体管进行编码编程。

技术领域

本公开的各种示例性实施方式涉及电子装置。更具体地，本公开的各种实施方式涉及半导体存储装置及其操作方法。

背景技术

半导体存储装置通常分类为易失性存储装置和非易失性存储装置。

非易失性存储装置具有相对低的写入速率和读取速率，但是即使电源被阻断，非易失性存储装置也保持所存储的数据。因此，使用非易失性存储装置以便存储不管电源如何都需要保持的数据。非易失性存储装置包括只读存储器(ROM)、掩模式ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。闪存存储器一般被划分为NOR型和NAND型。

闪存存储器具有其中数据被自由编程和擦除的RAM的优点，以及即使电源被阻断也可保持存储的数据的ROM的优点。闪存存储器被广泛用作诸如数码相机、个人数字助理(PDA)、MP3播放器等的便携式电子装置的存储介质。

发明内容

为了解决与现有技术相关联的上述问题，已经提出了本公开，并且本公开提供一种半导体存储装置及其操作方法，该半导体存储装置能够在其操作期间选择性地操作共用漏极选择线的多个单元串。

为了解决与现有技术相关的上述问题，已经提出了本公开，并且本公开还提供一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括共用一条或更多条漏极选择线的多个存储块；外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行编程操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路来对包括在所述多个存储块中的每一个中的一个或更多个漏极选择晶体管进行编码编程。

本公开的一个示例性实施方式提供一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括共用位线、公共源线和一条或更多条漏极选择线的多个存储块；外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行编程操作；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路来对所述多个存储块中的每一个中所包括的一个或更多个漏极选择晶体管进行编码编程，其中，所述多个存储块中的每一个包括串联连接在位线与公共源线之间的一个或更多个连接控制晶体管、一个或更多个漏极选择晶体管、多个存储单元以及源极选择晶体管。

本公开的又一示例性实施方式提供一种操作半导体存储装置的方法，该方法包括以下步骤：提供包括共用位线、公共源线和一条或更多条漏极选择线的多个存储块的存储单元阵列；对包括在所述多个存储块中的一个或更多个连接控制晶体管进行编程；以及按照所述多个存储块中的每一个中包括的一个或更多个漏极选择晶体管被编码编程以使得所述多个存储块分别具有不同的编码数据的方式对所述一个或更多个漏极选择晶体管进行编程。

根据本公开的示例性实施方式，半导体存储装置被设计为使得该半导体存储装置的多个串共用漏极选择线，由此减小存储单元阵列的面积，并且能够跳过用于分离漏极选择线的工艺，由此改进制造工艺。

附图说明

现在将参照附图在下文更充分地描述各种示例性实施方式；然而，这些示例性实施方式可按照不同的形式来实现，并且不应当被解释为限于本文所阐述的这些实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻的和完整的，并且将示例性实施方式的范围充分地传达给本领域技术人员。