[发明专利]半导体存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括共用一条或更多条漏极选择线的多个存储块，其中，所述多个存储块中的每一个包括一个或更多个漏极选择晶体管以及串联联接在所述一个或更多个漏极选择晶体管与位线之间的连接控制晶体管；

外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行编程操作；以及

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路来：

对所述连接控制晶体管执行所述编程操作，

响应于对所述连接控制晶体管的所述编程操作被完成，对所述一个或更多个漏极选择晶体管执行所述编程操作，并且

在对所述一个或更多个漏极选择晶体管的所述编程操作期间，控制所述外围电路以向所述位线施加电源电压并且向所述连接控制晶体管施加地电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述外围电路执行所述编程操作以使得所述多个存储块中的每一个中所包括的所述一个或更多个漏极选择晶体管分别具有不同的编码数据。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，所述多个存储块中的每一个包括多个存储单元以及源极选择晶体管。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述多个存储块共用与所述连接控制晶体管连接的连接控制线、与所述一个或更多个漏极选择晶体管连接的所述一条或更多条漏极选择线以及与所述存储单元连接的多条字线。

5.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，包括在所述多个存储块中的所述源极选择晶体管分别连接到电分离的源极选择线。

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，在包括在所述多个存储块中的所述连接控制晶体管的编程操作期间，所述外围电路通过在使所述源极选择晶体管截止之后将编程允许电压施加到所述位线并且将编程电压施加到所述连接控制晶体管来同时对包括在所述多个存储块中的所述连接控制晶体管进行编程。

7.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述外围电路在对所述一个或更多个漏极选择晶体管的所述编程操作期间通过公共源线对所述多个存储块当中的被选存储块的沟道进行预充电。

8.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，所述外围电路在对所述一个或更多个漏极选择晶体管的所述编程操作期间通过将所述地电压施加到公共源线、使所述连接控制晶体管截止、使所述多个存储块当中的被选存储块的源极选择晶体管导通、以及然后将编程电压施加到所述漏极选择线来对所述一个或更多个漏极选择晶体管进行编程。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中，所述外围电路在对所述一个或更多个漏极选择晶体管的所述编程操作期间通过使未选存储块的源极选择晶体管截止来对所述未选存储块的沟道进行升压。

10.一种半导体存储装置，该半导体存储装置包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括共用位线、公共源线和一条或更多条漏极选择线的多个存储块；

外围电路，所述外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行编程操作；以及

控制逻辑，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路来对所述多个存储块中的每一个中所包括的一个或更多个漏极选择晶体管进行编码编程，

其中，所述多个存储块中的每一个包括串联联接在所述一个或更多个漏极选择晶体管与所述位线之间的连接控制晶体管、多个存储单元以及源极选择晶体管，并且

其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路来：

对所述连接控制晶体管进行编程，并且

响应于对所述连接控制晶体管的所述编程操作被完成，通过向所述位线施加电源电压并且向所述连接控制晶体管施加地电压来对所述一个或更多个漏极选择晶体管进行编码编程。