[发明专利]半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法有效
| 申请号： | 201810116527.9 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108538802B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡丽娟;李志成 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的至少一些实施例涉及一种用于封装半导体装置的衬底。所述衬底包含具有第一表面的第一介电层、邻近于所述第一介电层的所述第一表面的第一图案化导电层及导电柱。所述第一图案化导电层包含第一导电垫及第二导电垫。所述导电柱安置于所述第一导电垫上。所述导电柱包含第一部分及第二部分。所述导电柱的所述第一部分及所述第二部分通过所述第一介电层暴露。所述导电柱的所述第一部分具有对应于所述第一部分的顶部管线宽度的第一宽度，并且所述导电柱的所述第二部分具有一宽度。所述导电柱的所述第二部分的所述宽度大于所述导电柱的所述第一部分的所述第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于封装半导体装置的衬底，其包括：第一介电层，其具有第一表面；第一图案化导电层，其邻近于所述第一介电层的所述第一表面，所述第一图案化导电层包括第一导电垫及第二导电垫；及导电柱，其安置于所述第一导电垫上，所述导电柱包括第一部分及第二部分，其中所述导电柱的所述第一部分及所述第二部分通过所述第一介电层暴露，及其中所述导电柱的所述第一部分具有对应于所述第一部分的顶部管线宽度的第一宽度且所述导电柱的所述第二部分具有一宽度，并且所述导电柱的所述第二部分的所述宽度大于所述导电柱的所述第一部分的所述第一宽度。
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