[发明专利]一种CMOS型图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供一种CMOS型图像传感器及其制作方法，包括第二氧化层和位于该氧化层上一侧的基底，基底的一侧形成向下凹陷至第二氧化层的第一沟槽，在基底和第一沟槽上由下至上依次设有HIK层和第一氧化层，在设有高介电薄膜层和第一氧化层的第一沟槽上形成贯穿第一氧化层、高介电薄膜层和部分第二氧化层的接线槽，在第一氧化层上以及接线槽内设有第一金属层，在接线槽的第一金属层上设有铝接线板，铝接线板通过接线槽内的第一金属层和接线槽侧壁裸露出的高介电薄膜层电连接，以在铝接线板上施加电压时为高介电薄膜层提供电压，使高介电薄膜层和基底之间产生更大的电势差，使基底对电子的束缚能力更强，从而更好地减小白点和暗电流。

主权项

1.一种CMOS型图像传感器，其特征在于，包括：第二氧化层(401)和位于所述第二氧化层(401)上的基底(402)；所述基底(402)位于所述第二氧化层(401)的一侧，所述基底(402)上具有向下凹陷至所述第二氧化层(401)的第一沟槽(406)，在所述基底(402)和所述第一沟槽(406)上由下至上依次设有高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)，在设有高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)的第一沟槽(406)上形成贯穿所述第一氧化层(404)、所述高介电薄膜层(403)和部分所述第二氧化层(401)的接线槽(410)，在所述第一氧化层(404)上以及所述接线槽(410)内设有第一金属层(405)，在所述接线槽(410)的所述第一金属层(405)上设有铝接线板(408)，所述铝接线板(408)通过所述接线槽(410)内的第一金属层(405)和所述接线槽(410)侧壁裸露出的所述高介电薄膜层(403)电连接，以在所述铝接线板(408)上施加电压时为所述高介电薄膜层(403)提供电压。