[发明专利]一种CMOS型图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种CMOS型图像传感器，其特征在于，包括：第二氧化层(401)和位于所述第二氧化层(401)上的基底(402)；

所述基底(402)位于所述第二氧化层(401)的一侧，所述基底(402)上具有向下凹陷至所述第二氧化层(401)的第一沟槽(406)，在所述基底(402)和所述第一沟槽(406)上由下至上依次设有高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)，在设有高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)的第一沟槽(406)上形成贯穿所述第一氧化层(404)、所述高介电薄膜层(403)和部分所述第二氧化层(401)的接线槽(410)，在所述第一氧化层(404)上以及所述接线槽(410)内设有第一金属层(405)，在所述接线槽(410)的所述第一金属层(405)上设有铝接线板(408)，所述铝接线板(408)通过所述接线槽(410)内的第一金属层(405)和所述接线槽(410)侧壁裸露出的所述高介电薄膜层(403)电连接，以在所述铝接线板(408)上施加电压时为所述高介电薄膜层(403)提供电压。

2.根据权利要求1所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，在所述基底(402)上还形成有用于像素单元之间隔离的第二沟槽(407)。

3.根据权利要求2所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，所述第二沟槽(407)的底部与所述基底(402)的底面之间具有预设距离。

4.根据权利要求2-3中任一项所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，包括至少四个所述第二沟槽(407)，所述至少四个所述第二沟槽(407)中的每四个所述第二沟槽(407)组成一个矩形区域，每个所述矩形区域将一个像素单元包围在其中。

5.根据权利要求1所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，所述第一金属层(405)为钨层。

6.根据权利要求1所述的CMOS型图像传感器，其特征在于，还包括形成在所述第二氧化层(401)中的第二金属层(409)；

所述铝接线板(408)通过所述第一金属层(405)和所述第二金属层(409)电连接。

7.一种CMOS型图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底(402)以及所述基底(402)下面的第二氧化层(401)；

在所述基底(402)的上面涂覆光刻胶，利用一掩模板对所述基底(402)上的光刻胶进行曝光显影，以在所述基底(402)的光刻胶上形成第一图案；

根据所述基底(402)的光刻胶上形成的第一图案对所述基底(402)进行刻蚀，除去所述基底(402)上的光刻胶，在所述基底(402)上形成第一沟槽(406)，所述第一沟槽(406)贯穿所述基底(402)和部分所述第二氧化层(401)；

在所述基底(402)和所述第一沟槽(406)上由下至上依次沉积高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)；

在沉积有所述高介电薄膜层(403)和第一氧化层(404)的第一沟槽(406)上形成贯穿所述第一氧化层(404)、所述高介电薄膜层(403)和部分所述第二氧化层(401)的接线槽(410)；

在所述第一氧化层(404)上以及所述接线槽(410)内沉积第一金属层(405)，在所述接线槽(410)内的第一金属层(405)上沉积铝层，形成铝接线板(408)，所述铝接线板(408)通过所述接线槽(410)内的第一金属层(405)和所述接线槽(410)侧壁裸露出的所述高介电薄膜层(403)电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，提供一基底(402)以及所述基底(402)下面的第二氧化层(401)之后，在所述基底(402)的上面涂覆光刻胶，利用一掩模板对所述基底(402)上的光刻胶进行曝光显影之前，所述方法还包括：

在所述第二氧化层(401)中形成第二金属层(409)；

则，所述方法还包括：

所述铝接线板(408)通过所述第一金属层(405)与所述第二金属层(409)电连接。