[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810073357.0 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108376675A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 渡边健雅;武直矢;儿玉幸雄 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 苏卉;高培培 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，可抑制铝溅出。半导体装置具有：电极焊盘，配置在半导体基板的上部；及引线，接合于上述电极焊盘且含有铜。上述电极焊盘具有含有铝的电极层和比上述引线及上述电极层硬的支撑层。上述引线与上述电极层及上述支撑层接触。通过上述支撑层来支撑上述引线，抑制了上述电极层的变形。由此，可抑制铝溅出。 | ||
| 搜索关键词： | 电极层 半导体装置 电极焊盘 支撑层 铝溅 半导体基板 接合 制造 变形 配置 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有：电极焊盘，配置在半导体基板的上部；及引线，接合于所述电极焊盘且含有铜，所述电极焊盘具有含有铝的电极层和比所述引线及所述电极层硬的支撑层，所述引线与所述电极层及所述支撑层接触。
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