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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201811239550.3有效
发明人：武直矢;儿玉幸雄;大岛正范 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开半导体装置。半导体装置具备：半导体元件，具有信号焊盘；密封体，密封半导体元件；以及引线，连接于信号焊盘。引线从位于密封体的外部的第1端延伸至位于密封体的内部的第2端，在密封体的内部经由键合线连接于信号焊盘。从引线的第1端延伸至第2端的上表面具有：接合区间，接合键合线；以及粗糙面区间，位于密封体的内部，并且上述粗糙面区间的表面粗糙度比接合区间大。而且，粗糙面区间的至少一部分位于比接合区间靠下方的位置。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210617510.8在审
发明人： 儿玉幸雄;吉泽洋明;大岛正范;平野敬洋 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括半导体元件、密封构件和第一导电板。半导体元件包括第一电极。密封构件密封半导体元件。第一导电板包括在密封构件内部面向第一电极的第一表面。第一导电板的第一表面包括安装区域、粗糙化区域和非粗糙化区域。第一电极接合到安装区域。粗糙化区域位于安装区域周围。非粗糙化区域位于粗糙化区域与第一表面的外周边缘之间。粗糙化区域的表面粗糙度大于非粗糙化区域的表面粗糙度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810073357.0在审
发明人：渡边健雅;武直矢;儿玉幸雄 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，可抑制铝溅出。半导体装置具有：电极焊盘，配置在半导体基板的上部；及引线，接合于上述电极焊盘且含有铜。上述电极焊盘具有含有铝的电极层和比上述引线及上述电极层硬的支撑层。上述引线与上述电极层及上述支撑层接触。通过上述支撑层来支撑上述引线，抑制了上述电极层的变形。由此，可抑制铝溅出。
电极层半导体装置电极焊盘支撑层铝溅半导体基板接合制造变形配置支撑

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