[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810073357.0 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108376675A 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 渡边健雅;武直矢;儿玉幸雄 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 苏卉;高培培
地址: 日本爱知*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电极层 半导体装置 电极焊盘 支撑层 铝溅 半导体基板 接合 制造 变形 配置 支撑
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具有:

电极焊盘,配置在半导体基板的上部;及

引线,接合于所述电极焊盘且含有铜,

所述电极焊盘具有含有铝的电极层和比所述引线及所述电极层硬的支撑层,

所述引线与所述电极层及所述支撑层接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述支撑层从上表面至下表面地贯通所述电极层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

所述支撑层具有在所述电极焊盘的上表面呈环状地延伸的环状部。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,

所述支撑层具有在由所述环状部包围的范围内在所述电极焊盘的所述上表面呈格子状地延伸的格子部。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其中,

所述引线与整个所述环状部接触。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的半导体装置,其中,

所述电极焊盘具有与所述引线接触的多个所述支撑层。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体装置,其中,

所述电极焊盘和所述引线被含硫的树脂覆盖,

所述引线与所述支撑层的组合是比所述引线与所述电极层的组合难以合金化的组合。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体装置,其中,

所述支撑层含有钨。

9.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体装置,其中,

所述支撑层含有氧化硅。

10.一种半导体装置的制造方法,

所述制造方法具有将含有铜的引线接合于配置在半导体基板的上部的电极焊盘的工序,

所述电极焊盘具有含有铝的电极层和比所述引线及所述电极层硬的支撑层,

在进行接合的所述工序中,以使所述引线与所述电极层及所述支撑层接触的方式将所述引线接合于所述电极焊盘。

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